| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米材料基本特性 | 第9-10页 |
| 1.2.1 小尺寸效应 | 第9页 |
| 1.2.2 表面与界面效应 | 第9页 |
| 1.2.3 量子尺寸效应 | 第9-10页 |
| 1.3 ZnO纳米材料基本性能及应用研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3.1 ZnO纳米材料的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3.2 ZnO纳米材料的基本性能 | 第11-12页 |
| 1.3.3 ZnO纳米线阵列的应用 | 第12-15页 |
| 1.4 ITO/Kapton/Al二次表面镜 | 第15页 |
| 1.5 ZnO纳米线阵列的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 试验材料与试验方法 | 第19-28页 |
| 2.1 试验原材料 | 第19页 |
| 2.2 ZnO纳米线阵列的制备工艺 | 第19-22页 |
| 2.2.1 ZnO种子层的制备 | 第20-22页 |
| 2.2.2 ZnO纳米线阵列的制备工艺 | 第22页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 原子力显微镜分析 | 第22页 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第22-24页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第24页 |
| 2.3.4 热重分析 | 第24页 |
| 2.3.5 X射线衍射(XRD)分析 | 第24-25页 |
| 2.4 材料性能测试方法 | 第25-27页 |
| 2.4.1 光谱反射率测试 | 第25页 |
| 2.4.2 接触角测试 | 第25-26页 |
| 2.4.3 太阳吸收比的计算 | 第26页 |
| 2.4.4 电化学性能测试 | 第26-27页 |
| 2.5 质子辐照方法 | 第27-28页 |
| 2.5.1 辐照设备及试验条件 | 第27页 |
| 2.5.2 SRIM软件模拟分析 | 第27-28页 |
| 第3章 ZnO纳米线阵列生长工艺研究 | 第28-46页 |
| 3.1 ZnO种子层的生长工艺研究 | 第28-36页 |
| 3.1.1 热处理温度的选择 | 第28-29页 |
| 3.1.2 热处理温度对种子层的相组成的影响 | 第29页 |
| 3.1.3 热处理温度对基底表面电阻的影响 | 第29-30页 |
| 3.1.4 工艺参数对ZnO种子层形貌的影响 | 第30-36页 |
| 3.2 ZnO种子层的成分分析 | 第36-37页 |
| 3.3 ZnO纳米线阵列的制备 | 第37-44页 |
| 3.3.1 生长液浓度对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.2 反应时间ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 种子层涂覆层数对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 水热反应温度对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.5 ZnO纳米阵列的长度控制因素 | 第43-44页 |
| 3.4 ZnO纳米阵列的相结构组成 | 第44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 ITO/Kapton/Al表面ZnO阵列性能研究 | 第46-66页 |
| 4.1 ZnO阵列的亲润性研究 | 第46-49页 |
| 4.2 ZnO阵列光电性能研究 | 第49-52页 |
| 4.3 ZnO阵列光学性能研究 | 第52-57页 |
| 4.4 ZnO阵列的辐照稳定性 | 第57-65页 |
| 4.4.1 质子辐照过程模拟 | 第57-60页 |
| 4.4.2 辐照对ZnO阵列表面形貌的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.3 ZnO阵列的辐照稳定性 | 第62-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
