| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景介绍 | 第8-9页 |
| 1.2 课题研究对象和国内外发展概况 | 第9-13页 |
| 1.2.1 光伏系统最大功率点跟踪问题研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET损耗分析研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.3 基于SiC器件电力电子系统研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 光伏系统最大功率点跟踪算法研究 | 第14-27页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 光伏电池建模及仿真 | 第14-17页 |
| 2.3 常用光伏系统单峰跟踪算法分析 | 第17-20页 |
| 2.3.1 电导增量法工作流程 | 第17-18页 |
| 2.3.2 观测扰动法工作流程及仿真 | 第18-20页 |
| 2.4 粒子群算法在多峰功率跟踪问题中的应用 | 第20-26页 |
| 2.4.1 基于随机初始化的粒子群算法 | 第21-24页 |
| 2.4.2 基于高斯分布初始化的粒子群算法 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 SiC MOSFET器件损耗研究 | 第27-40页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 SiC MOSFET损耗的影响因素分析 | 第27-33页 |
| 3.2.1 寄生电感对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.2 非线性C_(ds)对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.3 温度对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 SiC MOSFET开关过程的Ltspice仿真 | 第33-38页 |
| 3.3.1 寄生电感对开关过程及损耗的影响仿真 | 第34-35页 |
| 3.3.2 非线性C_(ds)对开关过程及损耗的影响仿真 | 第35-37页 |
| 3.3.3 温度对开关过程及损耗的影响仿真 | 第37-38页 |
| 3.4 SiC MOSFET的双脉冲实验 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 SiC MOSFET驱动电路的设计 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 SiC MOSFET的驱动电路设计要点 | 第40-41页 |
| 4.3 两级式驱动电路设计 | 第41-45页 |
| 4.3.1 驱动电平发生级工作原理 | 第42-44页 |
| 4.3.2 驱动电平输出级工作原理 | 第44-45页 |
| 4.4 SiC MOSFET驱动电路的实测波形 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 SiC光伏功率变换器设计 | 第47-61页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 SiC光伏功率变换器设计 | 第47-53页 |
| 5.2.1 功率变换器工作原理和控制系统设计 | 第48-49页 |
| 5.2.2 光伏功率变换器的参数设计和器件选型 | 第49-53页 |
| 5.3 实验结果和样机效率分析 | 第53-60页 |
| 5.3.1 实验结果 | 第53-56页 |
| 5.3.2 样机效率分析 | 第56-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
