| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第7-9页 |
| 1.1.1 SiC MOSFET产品现状 | 第7-8页 |
| 1.1.2 SiC MOSFET驱动电路研究 | 第8-9页 |
| 1.1.3 SiC MOSFET应用研究现状 | 第9页 |
| 1.2 课题研究的主要内容 | 第9-11页 |
| 2 SiC MOSFET工作原理及驱动电路的设计 | 第11-27页 |
| 2.1 SiC MOSFET结构与工作原理 | 第11-12页 |
| 2.2 SiC MOSFET驱动电路设计要求 | 第12页 |
| 2.3 SiC MOSFET驱动特性分析 | 第12-15页 |
| 2.3.1 电源电路设计 | 第12-13页 |
| 2.3.2 驱动电阻的设计 | 第13页 |
| 2.3.3 SiC MOSFET桥臂电路串扰抑制 | 第13-15页 |
| 2.4 SiC MOSFET驱动电路的设计及实验 | 第15-25页 |
| 2.4.1 SiC MOSFET驱动电路的参数选取 | 第15-18页 |
| 2.4.2 SiC MOSFET驱动板 | 第18-21页 |
| 2.4.3 SiC MOSFET选型 | 第21-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 3 SiC MOSFET三电平逆变器开关器件均压控制 | 第27-37页 |
| 3.1 模态分析 | 第27-28页 |
| 3.2 SiC MOSFET三电平逆变电路不均压原因分析 | 第28-30页 |
| 3.3 新型均压电路设计 | 第30-31页 |
| 3.4 SiC MOSFET三电平逆变器开关器件均压控制实验 | 第31-35页 |
| 3.4.1 IDW40E65D1为箝位二极管实验结果分析 | 第32-33页 |
| 3.4.2 IDW20G65C5为箝位二极管实验结果分析 | 第33-34页 |
| 3.4.3 SCS240KE2为箝位二极管实验结果分析 | 第34-35页 |
| 3.5 SiC MOSFET三电平逆变器抗扰抑制 | 第35-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 SiC MOSFET三电平并网逆变器的实验研究 | 第37-49页 |
| 4.1 SiC MOSFET三电平并网逆变器的控制 | 第37-40页 |
| 4.1.1 SiC MOSFET三电平逆变器基本原理 | 第37页 |
| 4.1.2 数学模型 | 第37-38页 |
| 4.1.3 SiC MOSFET三电平并网逆变器空间电压矢量调制技术 | 第38-39页 |
| 4.1.4 基于电网电压定向的三电平并网逆变器电压矢量控制 | 第39-40页 |
| 4.2 SiC MOSFET三电平并网逆变器实验 | 第40-45页 |
| 4.2.1 实验系统框图 | 第40-41页 |
| 4.2.2 硬件设计 | 第41-44页 |
| 4.2.3 软件设计 | 第44-45页 |
| 4.3 实验结果 | 第45-48页 |
| 4.3.1 SiC MOSFET逆变器开环实验 | 第45-47页 |
| 4.3.2 SiC MOSFET逆变器并网实验 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在校期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 附件 1： SCH2080KE的电路网表 | 第58-59页 |
