| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 半导体纳米线 | 第10-14页 |
| 1.1.1 半导体纳米线的合成控制 | 第11-12页 |
| 1.1.2 半导体纳米线的电子特性 | 第12页 |
| 1.1.3 半导体纳米线的光学特性 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体纳米线激光器的发展 | 第14-21页 |
| 1.3 论文的结构安排 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 时域有限差分法 | 第26-43页 |
| 2.1 时域有限差分法简介 | 第26-27页 |
| 2.2 麦克斯韦方程组及Yee元胞 | 第27-29页 |
| 2.3 三维情形、二维情况、一维情况 | 第29-35页 |
| 2.4 数值稳定性与数值色散 | 第35-36页 |
| 2.5 吸收边界条件 | 第36-40页 |
| 2.5.1 Mur吸收边界条件 | 第37页 |
| 2.5.2 完全匹配层 | 第37-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 GaAs纳米线的导模特性 | 第43-61页 |
| 3.1 模式分布及有效折射率 | 第43-47页 |
| 3.1.1 问题分析 | 第43-44页 |
| 3.1.2 仿真条件设置 | 第44-45页 |
| 3.1.3 结果及分析 | 第45-47页 |
| 3.2 模式端面反射率、限制因子与阈值增益 | 第47-52页 |
| 3.2.1 问题分析 | 第47-49页 |
| 3.2.2 仿真条件设置 | 第49-50页 |
| 3.2.3 结果与分析 | 第50-52页 |
| 3.3 圆截面和六边形截面对比 | 第52-55页 |
| 3.3.1 问题分析 | 第52-54页 |
| 3.3.2 仿真条件设置 | 第54页 |
| 3.3.3 结果与分析 | 第54-55页 |
| 3.4 谐振特性 | 第55-59页 |
| 3.4.1 问题分析 | 第55-56页 |
| 3.4.2 仿真条件设置 | 第56-57页 |
| 3.4.3 结果与分析 | 第57-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第四章 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向异质结构的导模特性 | 第61-72页 |
| 4.1 研究背景与意义 | 第61-64页 |
| 4.2 模式分布及有效折射率 | 第64-66页 |
| 4.2.1 问题分析 | 第64页 |
| 4.2.2 仿真条件设置 | 第64-65页 |
| 4.2.3 结果与分析 | 第65-66页 |
| 4.3 单模存在条件 | 第66-70页 |
| 4.3.1 问题分析 | 第66-67页 |
| 4.3.2 仿真条件设置 | 第67-68页 |
| 4.3.3 结果与分析 | 第68-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74页 |