| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 CZTS太阳能电池的研究现状与成果 | 第11-15页 |
| 1.2.1 制备工艺最新成果 | 第11-12页 |
| 1.2.2 理论计算最新成果 | 第12-15页 |
| 第二章 理论计算基础 | 第15-24页 |
| 2.1 计算机在理论计算中的应用 | 第15-17页 |
| 2.2 第一性原理简介 | 第17-21页 |
| 2.2.1 基本概念 | 第17-19页 |
| 2.2.2 密度泛函理论计算中重要的交换关联能近似 | 第19-20页 |
| 2.2.3 简化计算密度泛函理论的数学物理方法 | 第20-21页 |
| 2.3 Materials Studio软件和CASTEPT模块 | 第21-22页 |
| 2.3.1 Materials Studio软件 | 第21-22页 |
| 2.3.2 CASTEP模块 | 第22页 |
| 2.4 选题依据与研究内容 | 第22-24页 |
| 2.4.1 选题依据 | 第22-23页 |
| 2.4.2 研究内容 | 第23页 |
| 2.4.3 实验设备 | 第23-24页 |
| 第三章 CZTS的第一性原理计算 | 第24-33页 |
| 3.1 禁带宽度和电子态密度 | 第24-26页 |
| 3.1.1 理论基础 | 第24-25页 |
| 3.1.2 计算参数 | 第25-26页 |
| 3.2 禁带宽度 | 第26-28页 |
| 3.3 能态密度 | 第28-32页 |
| 3.4 章末小结 | 第32-33页 |
| 第四章 脉冲激光沉积CZTS薄膜的最佳工艺分析 | 第33-45页 |
| 4.1 分析模型的建立 | 第33-37页 |
| 4.2 拟合计算的数学函数 | 第37-38页 |
| 4.2.1 多项式回归 | 第37-38页 |
| 4.2.3 非线性回归 | 第38页 |
| 4.3 温度—强边界拟合 | 第38-43页 |
| 4.3.1 温度—峰强边界回归 | 第38-41页 |
| 4.3.2 分析与讨论 | 第41-43页 |
| 4.4 频率-峰强和能量-峰强拟合 | 第43页 |
| 4.5 章末小结 | 第43-45页 |
| 第五章 CZTS薄膜的截面SEM测试 | 第45-56页 |
| 5.1 CZTS薄膜截面样品的制备 | 第45页 |
| 5.2 测试结果与讨论 | 第45-52页 |
| 5.3 关于薄膜生长过程与薄膜结构的讨论 | 第52-55页 |
| 5.3.1 薄膜的生长过程与薄膜结构 | 第52-55页 |
| 5.4 章末小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第68页 |