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基于90nm工艺带LDO驱动频率可修调的振荡器设计

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 绪论第8-10页
    1.1 概述第8页
    1.2 振荡器发展现状第8-9页
    1.3 本论文研究内容第9-10页
第二章 振荡器的分类与原理第10-16页
    2.1 晶体振荡器第10-11页
    2.2 环形振荡器第11-14页
    2.3 RC振荡器第14-16页
第三章 LDO电路设计第16-22页
    3.1 LDO电路设计原理第16-19页
    3.2 LDO仿真结果第19-22页
第四章 张弛振荡器电路的设计第22-52页
    4.1 张弛振荡器电路整体架构及原理第22-23页
    4.2 振荡器中Iref的电路设计第23-42页
        4.2.1 Iref中误差放大器模块第24-31页
        4.2.2 粗调电阻模块第31-34页
        4.2.3 精调电阻模块第34-37页
        4.2.4 Iref仿真第37-42页
    4.3 整体起振电路的设计第42-48页
        4.3.1 RS触发器第44-45页
        4.3.2 比较器的设计第45-46页
        4.3.3 振荡电路第46-48页
    4.4 整体电路仿真第48-52页
第五章 相位噪声的研究第52-56页
    5.1 相位噪声的定义第52-53页
    5.2 相位噪声的来源第53-55页
        5.2.1 MOS器件的热噪声第53-54页
        5.2.2 MOS器件的闪烁噪声第54-55页
    5.3 相位噪声仿真结果第55-56页
第六章 版图设计与仿真第56-60页
    6.1 版图设计流程第56-57页
    6.2 整体版图设计第57-60页
        6.2.1 LDO版图设计第57-58页
        6.2.2 LDO版图后仿第58页
        6.2.3 振荡器版图设计第58-59页
        6.2.4 振荡器版图后仿第59-60页
第七章 总结与展望第60-61页
参考文献第61-63页
在学期间的研究成果第63-64页
致谢第64页

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