利用固体碳源在介电层上生长掺杂石墨烯
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 石墨烯的结构与性质 | 第11-15页 |
| 1.1.1 力学性质 | 第12页 |
| 1.1.2 热学性质 | 第12-13页 |
| 1.1.3 电学性质 | 第13页 |
| 1.1.4 光学性质 | 第13-14页 |
| 1.1.5 掺杂石墨烯的结构与性质 | 第14-15页 |
| 1.2 石墨烯的合成方法 | 第15-23页 |
| 1.2.1 自上而下合成 | 第15-17页 |
| 1.2.2 自下而上合成 | 第17-22页 |
| 1.2.3 掺杂石墨烯的合成 | 第22-23页 |
| 1.3 石墨烯的应用 | 第23-27页 |
| 1.3.1 透明导电薄膜 | 第23-24页 |
| 1.3.2 气体传感器 | 第24-25页 |
| 1.3.3 催化 | 第25-26页 |
| 1.3.4 超级电容器 | 第26-27页 |
| 1.3.5 场效应晶体管 | 第27页 |
| 1.4 本论文的研究意义和主要工作 | 第27-29页 |
| 1.4.1 选题的目的和意义 | 第27-28页 |
| 1.4.2 主要工作 | 第28-29页 |
| 第二章 实验方法、技术与实验材料 | 第29-37页 |
| 2.1 实验方法与技术 | 第29-35页 |
| 2.1.1 有机蒸发镀膜仪 | 第29-30页 |
| 2.1.2 电子束蒸发镀膜仪 | 第30页 |
| 2.1.3 管式炉和PECVD | 第30-31页 |
| 2.1.4 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.1.5 莱卡荧光显微镜 | 第31-32页 |
| 2.1.6 激光共聚焦拉曼光谱仪 | 第32-33页 |
| 2.1.7 原子力显微镜 | 第33页 |
| 2.1.8 X射线光电子能谱仪 | 第33-34页 |
| 2.1.9 高分辨透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.1.10 低温探针台 | 第34-35页 |
| 2.1.11 紫外可见吸收光谱仪 | 第35页 |
| 2.1.12 四探针测阻仪 | 第35页 |
| 2.2 实验材料 | 第35-37页 |
| 第三章 氮掺杂石墨烯的合成 | 第37-51页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 氮掺杂石墨烯的合成 | 第38-40页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第38-40页 |
| 3.2.2 场效应晶体管的制备 | 第40页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第40-50页 |
| 3.3.1 碳源结构的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 升温速率的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.3 碳源厚度的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.4 退火温度的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.5 退火时间的影响 | 第45页 |
| 3.3.6 铜的厚度的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.7 最佳生长条件 | 第46-50页 |
| 3.4 本章总结 | 第50-51页 |
| 第四章 氮氟共掺杂石墨烯的合成 | 第51-59页 |
| 4.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 4.2 氮氟共掺杂石墨烯的合成 | 第52页 |
| 4.3 性质的表征 | 第52-57页 |
| 4.3.1 SEM的表征 | 第52-53页 |
| 4.3.2 Raman的表征 | 第53页 |
| 4.3.3 TEM的表征 | 第53-54页 |
| 4.3.4 XPS的表征 | 第54-55页 |
| 4.3.5 电学性能的表征 | 第55-56页 |
| 4.3.6 光学性能的表征 | 第56-57页 |
| 4.4 本章总结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
