| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 光导开关的发展历史 | 第7-9页 |
| 1.2 光导开关的研究现状 | 第9-18页 |
| 1.2.1 PCSS材料研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 PCSS工艺研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 PCSS理论研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.4 PCSS应用研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3 研究内容 | 第18-19页 |
| 1.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 GaAs光导开关材料与工作特性 | 第20-33页 |
| 2.1 GaAs材料的迁移率 | 第20-21页 |
| 2.2 转移电子效应 | 第21-22页 |
| 2.3 GaAs材料的光吸收特性 | 第22-24页 |
| 2.3.1 本征吸收 | 第23-24页 |
| 2.3.2 非本征吸收 | 第24页 |
| 2.4 光导开关的两种工作模式 | 第24-26页 |
| 2.4.1 线性工作模式 | 第24-25页 |
| 2.4.2 非线性工作模式 | 第25-26页 |
| 2.5 高场畴的特性研究 | 第26-32页 |
| 2.5.1 电荷畴的形成 | 第27-29页 |
| 2.5.2 高场畴分析 | 第29-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 激光二极管触发的光导开关非线性特性研究 | 第33-46页 |
| 3.1 激光二极管触发的光导开关特性研究 | 第33-41页 |
| 3.1.1 偏置电压和导通电流对开关导通电阻的影响 | 第35-38页 |
| 3.1.2 触发位置对开关导通电阻的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.3 触发光功率对开关输出电压的影响 | 第39-41页 |
| 3.2 结果讨论 | 第41-45页 |
| 3.2.1 锁定效应 | 第41-42页 |
| 3.2.2 导通过程分析 | 第42-44页 |
| 3.2.3 实验结果分析 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 光导开关类线性模式 | 第46-61页 |
| 4.1 类线性理论 | 第46-51页 |
| 4.2 实验器件与测试原理 | 第51-52页 |
| 4.3 类线性实验结果 | 第52-56页 |
| 4.3.1 偏置电压 | 第52-54页 |
| 4.3.2 触发能量 | 第54-55页 |
| 4.3.3 触发位置 | 第55-56页 |
| 4.4 非线性模式中的类线性输出 | 第56-58页 |
| 4.5 电离率 | 第58-60页 |
| 4.6 本章总结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |