| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·薄膜晶体管工作原理及简介 | 第11-13页 |
| ·薄膜晶体管的应用 | 第13-16页 |
| ·薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第14-15页 |
| ·TFT在有源驱动发光二极管中的应用 | 第15-16页 |
| ·应用于有源矩阵发光显示的薄膜晶体管 | 第16-20页 |
| ·非晶硅TFT | 第16页 |
| ·多晶硅TFT | 第16页 |
| ·有机TFT | 第16-17页 |
| ·氧化锌及掺杂氧化锌TFT | 第17-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 样品制备技术和测试表征技术 | 第21-30页 |
| ·磁控溅射技术 | 第21-23页 |
| ·磁控溅射技术的发展 | 第21页 |
| ·磁控溅射技术的原理 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射技术的特点 | 第22-23页 |
| ·薄膜表征手段 | 第23-26页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第23页 |
| ·X射线衍射 | 第23-24页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜 | 第25-26页 |
| ·器件性能表征 | 第26-30页 |
| 第三章 基于SiO__2 为绝缘层的IGZO-TFT的制备 | 第30-41页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·IGZO薄膜的制备条件的研究 | 第30-36页 |
| ·氧含量对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第31-32页 |
| ·薄膜厚度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第32-34页 |
| ·退火温度对IGZO-TFT性能的影响 | 第34-36页 |
| ·沟道长度对IGZO-TFT性能的影响 | 第36-37页 |
| ·靶材溅射时间对IGZO-TFT性能的影响 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章SiO__2 表面OTS 修饰对IGZO-TFT性能的影响 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·器件制备 | 第41-44页 |
| ·SiO__2 表面OTS修饰 | 第41-43页 |
| ·器件制备 | 第43-44页 |
| ·IGZO-TFT器件性能 | 第44-48页 |
| ·结果分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 退火次序对IGZO-TFT性能的影响 | 第50-55页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·器件制备 | 第50-51页 |
| ·IGZO-TFT电学性能测试 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附件 | 第65页 |