| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的极化特性 | 第13-14页 |
| 1.2 GaN基LED的基本介绍 | 第14-19页 |
| 1.2.1 GaN基LED的发光机理 | 第14-16页 |
| 1.2.2 GaN基LED的发光效率 | 第16-19页 |
| 1.3 表面等离激元的基本性质 | 第19-21页 |
| 1.3.1 表面等离极化激元 | 第20页 |
| 1.3.2 局域表面等离激元 | 第20-21页 |
| 1.4 表面等离激元提高LED发光效率的基本原理与研究进展 | 第21-26页 |
| 1.4.1 表面等离激元提高LED发光效率的基本原理 | 第21-23页 |
| 1.4.2 表面等离激元提高LED发光效率的研究进展 | 第23-26页 |
| 1.5 本论文的选题依据与研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 金属及半导体材料与器件的制备技术及表征方法 | 第28-38页 |
| 2.1 金属材料的制备技术 | 第28-30页 |
| 2.1.1 离子束沉积系统简介 | 第28-29页 |
| 2.1.2 真空镀膜系统简介 | 第29-30页 |
| 2.2 半导体材料的制备技术 | 第30-33页 |
| 2.2.1 MOCVD的基本原理 | 第30-31页 |
| 2.2.2 本文所用MOCVD系统简介 | 第31-33页 |
| 2.3 金属及半导体材料的表征方法 | 第33-36页 |
| 2.3.1 紫外-可见近红外光度计 | 第33页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| 2.3.3 光致发光(PL) | 第34页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 Ag纳米粒子的制备及其特性研究 | 第38-50页 |
| 3.1 离子束沉积的重复性验证与速率测定 | 第38-40页 |
| 3.1.1 离子束沉积的重复性验证 | 第38-39页 |
| 3.1.2 离子束沉积速率的测定 | 第39-40页 |
| 3.2 Ag纳米粒子的制备条件对其特性的影响 | 第40-46页 |
| 3.2.1 沉积时间对Ag纳米粒子特性的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 退火时间对Ag纳米粒子特性的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.3 退火温度对Ag纳米粒子特性的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.4 衬底对Ag纳米粒子特性的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 Ag纳米粒子的抗氧化能力分析 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 表面等离激元提高GaN基蓝光材料与器件发光效率研究 | 第50-68页 |
| 4.1 Ga极性蓝光多量子阱的制备与表征 | 第50-52页 |
| 4.1.1 Ga极性蓝光多量子阱的制备 | 第50-51页 |
| 4.1.2 Ga极性蓝光多量子阱的表征 | 第51-52页 |
| 4.2 表面等离激元提高蓝光多量子阱发光效率的研究 | 第52-60页 |
| 4.2.1 SPPs对蓝光多量子阱发光效率的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.2 LSPs提高蓝光多量子阱发光效率的研究 | 第54-60页 |
| 4.3 Ga极性蓝光LED的制备与表征 | 第60-64页 |
| 4.3.1 Ga极性蓝光LED的制备 | 第60页 |
| 4.3.2 Ga极性蓝光LED的表征 | 第60-64页 |
| 4.4 表面等离激元提高蓝光LED发光效率的研究 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第5章 表面等离激元提高GaN基紫光LED发光效率研究 | 第68-76页 |
| 5.1 pGaN的腐蚀特性研究 | 第68-69页 |
| 5.2 N极性GaN基紫光LED的制备及表征 | 第69-70页 |
| 5.2.1 N极性GaN基紫光LED的制备 | 第69-70页 |
| 5.2.2 N极性GaN基紫光LED的表征 | 第70页 |
| 5.3 表面等离激元提高紫光LED发光效率的研究 | 第70-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第6章 表面等离激元提高GaN基紫外光多量子阱发光效率研究 | 第76-86页 |
| 6.1 Ga极性紫外光多量子阱的制备与表征 | 第76-77页 |
| 6.1.1 Ga极性紫外光多量子阱的制备 | 第76页 |
| 6.1.2 Ga极性紫外光多量子阱的表征 | 第76-77页 |
| 6.2 表面等离激元提高紫外光多量子阱发光效率的研究 | 第77-84页 |
| 6.2.1 SPPs对紫外光多量子阱发光效率的影响 | 第77-78页 |
| 6.2.2 LSPs提高紫外光多量子阱发光效率的研究 | 第78-82页 |
| 6.2.3 隔离层厚度对表面等离激元耦合增强效果的影响 | 第82-84页 |
| 6.3 本章小结 | 第84-86页 |
| 结论 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 附录 | 第94-96页 |
| 作者简介及攻读硕士学位期间科研成果 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
