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65nm CMOS工艺22Gb/s VCSEL驱动器电路设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-13页
    1.1 课题背景和意义第9-11页
        1.1.1 光互连技术简介第9-10页
        1.1.2 VCSEL对光互连的重要意义第10页
        1.1.3 国内外发展现状及发展动态第10-11页
    1.2 课题主要研究内容第11-12页
    1.3 论文的组织结构第12页
    1.4 本章小结第12-13页
第2章 VCSEL驱动器基本理论第13-19页
    2.1 光纤数字通信系统的结构第13-14页
    2.2 光源第14-16页
        2.2.1 激光二极管第14-15页
        2.2.2 垂直腔面发射激光器第15-16页
    2.3 VCSEL驱动器设计需考虑的主要因素第16-18页
        2.3.1 眼图第16-17页
        2.3.2 带宽第17-18页
        2.3.3 输出电流摆幅第18页
        2.3.4 抖动第18页
        2.3.5 功耗第18页
    2.4 本章小结第18-19页
第3章 VCSEL驱动器电路设计指标和整体方案第19-29页
    3.1 设计指标第19-20页
    3.2 工艺特点第20-24页
        3.2.1 CMOS器件限制带宽的因素第21-22页
        3.2.2 65nm CMOS工艺设计难点第22页
        3.2.3 工艺中的重要无源器件第22-24页
    3.3 整体设计方案第24-28页
        3.3.1 电流驱动第24-25页
        3.3.2 驱动器与光源的连接和VCSEL负载模型第25页
        3.3.3 键合线的影响第25-26页
        3.3.4 预加重波形补偿技术提升眼图质量第26-28页
        3.3.5 负载特性变化对预加重波形补偿技术的影响第28页
    3.4 本章小结第28-29页
第4章 VCSEL电流驱动器电路设计第29-51页
    4.1 电路整体结构第29-30页
    4.2 驱动级第30-34页
        4.2.1 驱动级整体结构第30页
        4.2.2 驱动级单元电路第30-31页
        4.2.3 电源的考虑第31页
        4.2.4 防止预加重时调制电流减小第31-32页
        4.2.5 带“与”逻辑的电压开关第32-33页
        4.2.6 驱动级输入电容的确定第33-34页
    4.3 数字信号的缓冲和限幅放大器第34-40页
        4.3.1 整形原理第35页
        4.3.2 单元电路第35-38页
        4.3.3 缓冲和限幅放大器整体电路第38-39页
        4.3.4 限幅放大器和缓冲电路功能前仿真第39-40页
    4.4 压控延时电路第40-44页
        4.4.1 差分对时延产生原理第40-41页
        4.4.2 电压控制时延原理第41-42页
        4.4.3 单级延时电路第42页
        4.4.4 压控延时线第42-43页
        4.4.5 压控延时线电路功能前仿真第43-44页
    4.5 输入级第44-45页
    4.6 VCSEL驱动器电路前仿真第45-49页
        4.6.1 静态仿真结果第46-48页
        4.6.2 瞬态仿真结果第48-49页
        4.6.3 前仿真小结第49页
    4.7 本章小结第49-51页
第5章 版图设计与后仿第51-59页
    5.1 本次版图设计需要考虑的因素第51-52页
    5.2 VCSEL驱动器电路版图第52-54页
    5.3 VCSEL驱动器电路后仿真第54-58页
        5.3.1 瞬态仿真结果第54-58页
        5.3.2 后仿真小结第58页
    5.4 本章小结第58-59页
第6章 总结与展望第59-61页
参考文献第61-65页
致谢第65-67页
攻读硕士学位期间发表的论文第67页

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