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300nm GaN基半导体激光器结构研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 研究背景及意义第9-14页
    1.2 半导体激光器基本工作原理第14-16页
        1.2.1 辐射理论第14-15页
        1.2.2 光学谐振腔第15-16页
    1.3 论文主要内容与结构第16-17页
2 激光器数值计算模型第17-38页
    2.1 基础数据与参数模型第18-22页
        2.1.1 载流子统计理论第18-19页
        2.1.2 带隙模型第19-20页
        2.1.3 电子亲和势第20页
        2.1.4 介电常数第20-21页
        2.1.5 状态密度等效质量第21页
        2.1.6 Adachi折射率模型第21-22页
    2.2 电学模型与参量计算第22-32页
        2.2.1 电学基础模型第22-24页
        2.2.2 Farahmand改良的Caughey Thomas模型第24-25页
        2.2.3 Shockley-Read-Hall复合模型第25页
        2.2.4 光子辐射复合模型第25-26页
        2.2.5 Auger复合模型第26页
        2.2.6 纤锌矿应变张量第26页
        2.2.7 纤锌矿极化模型第26-27页
        2.2.8 不完全电离模型第27页
        2.2.9 kp微扰法第27-30页
        2.2.10 应变纤锌矿三价带模型第30-32页
    2.3 光学模型与参量计算第32-37页
        2.3.1 Helmholtz方程第32-34页
        2.3.2 辐射增益与复合模型第34-35页
        2.3.3 光子速率方程第35-36页
        2.3.4 发射功率第36-37页
        2.3.5 饱和增益第37页
    2.4 本章小结第37-38页
3 仿真环境简介第38-49页
    3.1 Deckbuild第39-40页
    3.2 Tonyplot第40-41页
    3.3 ATLAS第41-48页
        3.3.1 器件结构第43-44页
        3.3.2 材料特性与计算模型第44-46页
        3.3.3 数值计算方法第46-47页
        3.3.4 仿真过程与结果分析第47-48页
    3.4 本章小结第48-49页
4 结构实现与优化第49-68页
    4.1 双异质结结构实现与优化第49-56页
        4.1.1 双异质结激光器实现第49-54页
        4.1.2 脊结构对激光器的优化第54-56页
    4.2 量子阱结构实现与优化第56-67页
        4.2.1 量子阱激光器实现第56-61页
        4.2.2 电子阻挡层对激光器的优化第61-63页
        4.2.3 组分渐变对激光器的优化第63-67页
    4.3 本章小结第67-68页
5 总结与展望第68-70页
    5.1 总结第68页
    5.2 展望第68-70页
参考文献第70-73页
附录第73-78页
个人简历、在校期间发表的学术论文与研究成果第78-79页
致谢第79页

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