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使用叠层母排的H桥逆变功率单元研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-24页
    1.1 课题研究的目的和意义第8页
    1.2 国内外研究的现状第8-23页
        1.2.1 国内外高压变频器研究的现状第8-13页
        1.2.2 国内外逆变功率单元的研究现状第13-23页
    1.3 论文主要工作第23-24页
2 H桥逆变功率单元的计算第24-35页
    2.1 高压变频器整机规格第24页
    2.2 IGBT模块的初步计算第24-25页
    2.3 整流二极管模块的初步计算第25页
    2.4 计算电力电子半导体模块的损耗第25-30页
        2.4.1 计算IGBT模块的损耗第25-26页
        2.4.2 IGBT片T1的损耗第26-27页
        2.4.3 续流二极管芯片D2的损耗第27页
        2.4.4 正弦脉宽调制(SPWM)下的IGBT模块损耗计算第27-28页
        2.4.5 使用简化模型对IGBT模块的热损进行计算第28页
        2.4.6 简化线性近似模型计算IGBT T1导通损耗第28页
        2.4.7 简化线性近似模型计算二极管D2导通损耗第28-29页
        2.4.8 简化线性近似模型计算IGBT T1二极管D2开关损耗第29-30页
        2.4.10 计算整流二极管模块的损耗第30页
    2.5 H桥逆变功率单元的热传导关系第30-32页
    2.6 电容器组及其均压电阻的计算与选型第32-33页
        2.6.1 电容器组规格计算第32页
        2.6.2 电容器组及其均压电阻拓扑分析第32-33页
    2.7 输入保险丝计算及选型第33-35页
3 现款H桥逆变功率单元的计算与仿真第35-45页
    3.1 现款功率单元的IGBT模块损耗第35-37页
    3.2 现款功率单元的二极管模块损耗第37页
    3.3 现款功率单元的模块总损耗及散热计算第37-39页
    3.4 现款功率单元的电容组及均压电阻的计算与说明第39-40页
    3.6 现款功率单元的3D模型第40-41页
    3.7 现款功率单元的热仿真及验证第41-43页
    3.8 现款功率单元的的母排杂散参数的仿真与提取第43-45页
4 新款H桥逆变功率单元的计算第45-57页
    4.1 新款H桥逆变单元电路拓扑第45页
    4.2 IGBT模块计算选型第45-48页
    4.3 整流二极管模块选型第48页
    4.4 计算CM300DX-34SA模块的损耗第48-51页
    4.5 计算MDD200-18N1模块的损耗第51页
    4.7 对IGBT和整流半桥模块的电流校核并计算散热器热阻第51-53页
    4.8 电容器组及其均压电阻的计算与选型第53-57页
        4.8.1 电容器组计算第53-54页
        4.8.2 均压电阻计算第54-57页
5 使用叠层母排的H桥逆变功率单元的设计第57-63页
    5.1 功率单元的结构设计第57-60页
    5.2 叠层母排的结构第60-61页
    5.3 热管散热器的规格第61-62页
    5.4 功率变换部分的设计第62-63页
6 新款功率单元的仿真及与现款单元的对比第63-76页
    6.1 功率单元的热仿真及验证第63-68页
    6.2 叠层母排杂散参数的仿真及提取第68-72页
    6.3 本文设计功率单元与现款功率单元的对比第72-76页
结论第76-77页
参考文献第77-80页
致谢第80-81页

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