| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 课题的目的与意义 | 第12-14页 |
| 1.2 激光光致前向转移(LIFT) | 第14-18页 |
| 1.2.1 LIFT背景 | 第14-17页 |
| 1.2.2 基于超材料光吸收器中光热效应的LIFT | 第17-18页 |
| 1.3 硅光电子调制器件 | 第18-25页 |
| 1.3.1 电驱动载流子注入电光调制 | 第18-19页 |
| 1.3.2 双光子吸收效应光开关 | 第19-20页 |
| 1.3.3 电驱动光热开关 | 第20-24页 |
| 1.3.4 集成MIM光吸收器的全光驱动光热开关 | 第24-25页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第25-27页 |
| 2 金属微纳结构中的光热效应 | 第27-43页 |
| 2.1 金属纳米颗粒中的光热效应 | 第27-33页 |
| 2.1.1 金属纳米颗粒的散射与吸收 | 第27-30页 |
| 2.1.2 金属纳米颗粒中的光热效应 | 第30-33页 |
| 2.2 人工超材料光吸收器的光热效应 | 第33-38页 |
| 2.3 硅光子器件的光热调制 | 第38-41页 |
| 2.4 小结 | 第41-43页 |
| 3 制备工艺及表征方法 | 第43-72页 |
| 3.1 综述 | 第43-45页 |
| 3.2 常用微纳结构制备工艺 | 第45-56页 |
| 3.2.1 气相沉积 | 第45页 |
| 3.2.2 电子束曝光 | 第45-53页 |
| 3.2.3 剥离工艺 | 第53-54页 |
| 3.2.4 感应耦合等离子体刻蚀 | 第54-56页 |
| 3.3 人工超材料光吸收器制备工艺 | 第56-59页 |
| 3.4 集成MIM光吸收器的硅光子器件制备工艺 | 第59-63页 |
| 3.4.1 耦合光栅与波导制备工艺 | 第59-61页 |
| 3.4.2 MIM光吸收器集成工艺 | 第61-62页 |
| 3.4.3 器件结构图 | 第62-63页 |
| 3.5 表征方法 | 第63-71页 |
| 3.5.1 材料表征 | 第63-64页 |
| 3.5.2 器件/结构性能表征 | 第64-71页 |
| 3.6 小结 | 第71-72页 |
| 4 基于光热效应实现金属纳米颗粒的转移 | 第72-85页 |
| 4.1 LIFT实验系统 | 第72-75页 |
| 4.2 LIFT实验结果与讨论 | 第75-84页 |
| 4.3 小结 | 第84-85页 |
| 5 基于光热效应的硅光电子开关 | 第85-98页 |
| 5.1 全刻蚀MZI光热开关结构设计 | 第86-89页 |
| 5.2 全刻蚀MZI光热开关特性表征 | 第89-92页 |
| 5.3 半刻蚀MZI光热开关结构设计 | 第92-93页 |
| 5.4 半刻蚀MZI光热开关特性表征 | 第93-95页 |
| 5.5 性能对比 | 第95-97页 |
| 5.6 小结 | 第97-98页 |
| 6 总结与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 作者简历 | 第114-115页 |