100MHz低相噪倍频锁相晶体振荡器
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 引言 | 第7-10页 |
·研究背景 | 第7-8页 |
·锁相倍频晶体振荡器发展的意义 | 第8页 |
·本课题完成的工作 | 第8-9页 |
·论文结构 | 第9-10页 |
2 锁相环路 | 第10-23页 |
·锁相环路的基本理论 | 第10-12页 |
·锁相环路的基本结构 | 第10页 |
·锁相环路的捕获与同步 | 第10-12页 |
·锁相环频率合成器的重要指标 | 第12页 |
·锁相环各部分组成结构 | 第12-19页 |
·鉴相器(PD) | 第12-13页 |
·环路滤波器(LPF) | 第13-16页 |
·压控振荡器(VCO) | 第16-17页 |
·锁相环路的线性化分析 | 第17-19页 |
·锁相环路的相位噪声分析 | 第19-23页 |
3 压控晶体振荡器(VCXO)理论分析 | 第23-35页 |
·振荡电路理论 | 第23-25页 |
·正反馈理论 | 第23-24页 |
·负阻理论 | 第24页 |
·振荡器的频率稳定度 | 第24-25页 |
·石英晶体振荡器 | 第25-28页 |
·晶体等效电路 | 第26页 |
·晶体振荡器电路 | 第26-28页 |
·压控晶体振荡器(VCXO) | 第28-29页 |
·压控频偏 | 第28-29页 |
·压控线性 | 第29页 |
·振荡器噪声分析 | 第29-33页 |
·电噪声 | 第29-30页 |
·放大器的噪声 | 第30-31页 |
·谐振回路的噪声 | 第31-32页 |
·振荡器的Lesson噪声模型 | 第32-33页 |
·压控振荡器的主要指标 | 第33-35页 |
4 锁相倍频晶体振荡器的设计 | 第35-53页 |
·锁相倍频晶体振荡器方案设计 | 第35-37页 |
·方案的选择 | 第35-36页 |
·方案设计 | 第36-37页 |
·锁相倍频晶体振荡器指标要求 | 第37-38页 |
·锁相倍频晶体振荡器各部分设计 | 第38-50页 |
·压控晶体振荡器的设计 | 第38-42页 |
·温度控制电路的设计 | 第42-44页 |
·缓冲放大电路的设计 | 第44-45页 |
·锁相环路设计 | 第45-50页 |
·可行性论证 | 第50-53页 |
5 调试与分析 | 第53-60页 |
·PCB板绘制 | 第53-54页 |
·实物的调试 | 第54-56页 |
·VCXO调试 | 第55页 |
·环路故障排查 | 第55页 |
·相噪指标不好 | 第55页 |
·杂谐波抑制度不够 | 第55-56页 |
·实物的测试 | 第56-60页 |
·输出频率、输出功率、杂谐波抑制的测试 | 第56-57页 |
·相位噪声的测试 | 第57-60页 |
6 结论 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-63页 |