| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·半导体硅（Si）材料简介 | 第11-12页 |
| ·半导体（Si）硅材料 | 第11页 |
| ·半导体硅（Si）材料在传感器方面的应用 | 第11-12页 |
| ·光电化学传感器简介 | 第12-18页 |
| ·光电化学传感器 | 第12-13页 |
| ·光电材料分类 | 第13页 |
| ·光电化学传感器的分类 | 第13-18页 |
| ·纳米材料简介 | 第18-20页 |
| ·纳米科技 | 第18页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的制备及其在光催化中的应用 | 第19-20页 |
| ·本论文的设计思路与意义 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第二章 羟基氧化镍修饰 N 型硅光电极检测过氧化氢 | 第29-45页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29-31页 |
| ·试剂与材料 | 第29-30页 |
| ·修饰电极的制备 | 第30页 |
| ·修饰电极的表征 | 第30-31页 |
| ·过氧化氢的检测 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·Ni/Pt/n–n~+–Si 电极的 NiOOH 膜的形成 | 第31-32页 |
| ·NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极的表征 | 第32-35页 |
| ·NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极对过氧化氢的光电化学响应 | 第35-37页 |
| ·NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极的抗干扰性 | 第37-38页 |
| ·NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极的便携性、稳定性与再现性 | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 第三章 电沉积氢氧化镍薄膜修饰的硅基光电极对过氧化氢检测 | 第45-63页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·试剂与材料 | 第46页 |
| ·NiOOH/Pt/n‐n~+‐Si 电极的制备 | 第46-47页 |
| ·修饰电极的 SEM 和 XPS 表征 | 第47页 |
| ·过氧化氢的检测 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-57页 |
| ·修饰电极表面 Ni(OH)_2和 NiOOH 膜的形成 | 第47-48页 |
| ·修饰电极的 SEM 和 XPS 表征结果 | 第48-50页 |
| ·过氧化氢的光响应 | 第50-52页 |
| ·电镀时间对 NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极对过氧化氢光响应的影响 | 第52-53页 |
| ·pH 对 NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极对过氧化氢光响应的影响 | 第53-55页 |
| ·NiOOH/Pt/n–n~+–Si 电极的选择性与稳定性 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 第四章 羟基氧化镍/石墨烯修饰 N 型硅光电化学传感电极检测对苯二酚 | 第63-83页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-66页 |
| ·试剂与材料 | 第64页 |
| ·石墨烯(GR)的制备 | 第64-65页 |
| ·NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 电极的制备 | 第65页 |
| ·NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 修饰电极的 SEM 和 XPS 的表征 | 第65-66页 |
| ·对苯二酚的检测 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-77页 |
| ·修饰电极的表征 | 第66-69页 |
| ·修饰电极表面石墨烯，Ni(OH)2和 NiOOH 膜的制备 | 第69-70页 |
| ·电镀时间对 NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 电极检测对苯二酚影响 | 第70-71页 |
| ·pH 对 NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 电极检测对苯二酚的影响 | 第71-72页 |
| ·对苯二酚的光电流响应 | 第72-74页 |
| ·NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 光电化学电极对 HQ 的反应机理 | 第74-75页 |
| ·NiOOH/GR/Pt/n‐n~+‐Si 光电化学电极的选择性与稳定性 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
