| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 致谢 | 第9-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 插图清单 | 第12-14页 |
| 表格清单 | 第14-15页 |
| 第一章 绪言 | 第15-27页 |
| ·纳米科技的概述 | 第15-16页 |
| ·纳米科技的产生与发展 | 第15-16页 |
| ·纳米科技的研究领域 | 第16页 |
| ·半导体一维纳米材料的研究 | 第16-21页 |
| ·半导体纳米材料的掺杂 | 第17-19页 |
| ·半导体一维纳米材料的合成 | 第19-21页 |
| ·纳米器件的研究 | 第21-25页 |
| ·场效应晶体管器件 | 第21-22页 |
| ·光电器件 | 第22-24页 |
| ·传感器件 | 第24-25页 |
| ·其他功能器件 | 第25页 |
| ·课题研究背景与目的 | 第25-27页 |
| 第二章 实验药品、工艺及表征 | 第27-38页 |
| ·实验所需药品 | 第27-28页 |
| ·实验工艺 | 第28-32页 |
| ·一维纳米材料的合成工艺 | 第28页 |
| ·纳米器件制备工艺 | 第28-32页 |
| ·表征 | 第32-38页 |
| ·材料表征 | 第32-36页 |
| ·器件表征 | 第36-38页 |
| 第三章 超高迁移率 p 型 CdS 纳米线：表面电荷转移掺杂 | 第38-51页 |
| ·前言 | 第38-39页 |
| ·CdS 纳米线的表面电荷转移 p 型掺杂 | 第39-48页 |
| ·CdS 纳米线的合成 | 第39-42页 |
| ·基于表面电荷转移掺杂 p 型 CdS 纳米线场效应管的研究 | 第42-46页 |
| ·实验解析 | 第46-48页 |
| ·基于表面电荷转移掺杂 p 型 CdS 纳米线场效应管低温特性的研究 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 ：单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的研究 | 第51-56页 |
| ·掺杂 Ga 的 CdS 纳米线电导类型的转变 | 第51-52页 |
| ·单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的制备 | 第52-54页 |
| ·单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的电学特性研究 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 ：基于 p 型 CdS 纳米线异质结光伏器件的研究 | 第56-60页 |
| ·基于 p 型 CdS 纳米线的异质结光伏器件的制备 | 第56-57页 |
| ·基于 p 型 CdS 纳米线的异质结光伏器件的电学特性研究 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 全文总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第69-71页 |
