| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·低维半导体材料 | 第9-11页 |
| ·低维材料的新颖特性和相互联系 | 第11-12页 |
| ·半导体材料物理性能研究的难点和方法 | 第12-16页 |
| ·本论文研究意义和内容安排 | 第16-18页 |
| 第2章 基本原理 | 第18-24页 |
| ·绪论 | 第18页 |
| ·键弛豫理论 | 第18-21页 |
| ·键弛豫理论基础 | 第18-19页 |
| ·键弛豫理论表达式 | 第19-21页 |
| ·低维材料可测物理量相对变化的推导 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第3章 低维硫化镉和硫化锌半导体带宽展宽和热稳定性 | 第24-31页 |
| ·绪论 | 第24页 |
| ·研究现状 | 第24-25页 |
| ·熔点尺寸效应的研究现状 | 第24-25页 |
| ·带宽尺寸效应的研究现状 | 第25页 |
| ·理论与公式 | 第25-28页 |
| ·熔点与尺寸的依赖关系 | 第25-27页 |
| ·禁带宽度与尺寸的依赖关系 | 第27页 |
| ·禁带宽度与熔点的关联性 | 第27-28页 |
| ·结果与分析 | 第28-30页 |
| ·低维硫化镉材料的低熔点 | 第28-29页 |
| ·低维硫化镉和硫化锌材料带宽的展宽 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第4章 低维硫化镉和硒化镉半导体拉曼光谱的尺寸效应 | 第31-36页 |
| ·绪论 | 第31页 |
| ·拉曼光谱尺寸效应的研究现状 | 第31-32页 |
| ·硫化镉和硒化镉拉曼光谱理论结果和分析 | 第32-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第5章 低维硫化锌半导体杨氏模量的增强 | 第36-40页 |
| ·绪论 | 第36页 |
| ·杨氏模量尺寸效应的研究现状 | 第36-37页 |
| ·杨氏模量理论与公式 | 第37-38页 |
| ·硫化锌杨氏模量结果与分析 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第6章 总结和展望 | 第40-42页 |
| ·总结 | 第40-41页 |
| ·工作展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 个人简历、攻读硕士期间发表的学术论文与研究成果 | 第48页 |