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铜基半导体的合成及其可见光催化性能的研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-26页
   ·纳米材料概述第10-15页
     ·前言第10-11页
       ·传统半导体材料简述第11页
     ·半导体纳米材料光催化反应原理第11-15页
     ·半导体光催化的发展方向第15页
   ·可见光催化剂第15-24页
     ·可见光催化剂的概述第15-17页
     ·常见铜基半导体氧化亚铜材料催化剂第17-21页
     ·常见铜基半导体硫化铜材料催化剂第21-24页
   ·选题背景及国内外研究现状第24页
   ·课题来源第24-25页
   ·本课题的研究内容第25-26页
第2章 实验材料和表征方法第26-31页
   ·实验试剂和仪器第26-27页
     ·实验试剂第26-27页
     ·实验仪器和设备第27页
   ·材料表征方法及原理第27-30页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第27页
     ·傅立叶变换红外(FT-IR)光谱分析第27-28页
     ·透射电子显微镜(TEM)第28页
     ·氮气吸附-脱附等温线测试(BET)第28-29页
     ·广角X-射线衍射(WAXRD)分析第29页
     ·紫外-可见光谱(UV-visible spectroscopy)第29-30页
   ·性能测试第30-31页
  可见光光催化性能测试第30-31页
第3章 前室温下分级花状Cu_2O的制备及其高效的光催化活性第31-45页
   ·引言第31页
   ·实验部分第31-32页
     ·可控合成分级花状Cu_2O晶体第31-32页
     ·Cu_2O可见光光催化性能的测试第32页
   ·结果与讨论第32-44页
     ·广角X-射线衍射(WAXRD)分析第32-33页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第33-36页
     ·透射电子显微镜(TEM)第36-37页
     ·Cu_2O的生长机理第37-38页
     ·N_2吸附-脱附分析第38-39页
     ·紫外可见光谱分析(UV-vis)第39-40页
     ·可见光光催化性能曲线第40-44页
   ·本章小结第44-45页
第4章 分级花状空心球CuS的制备及其高效的可见光催化性能第45-56页
   ·引言第45页
   ·实验部分第45-46页
     ·分级花状空心球CuS的合成第45-46页
     ·CuS可见光光催化性能的测试第46页
   ·结果与讨论第46-54页
     ·广角X-射线衍射(WAXRD)及X射线光电子能谱(XPS)第46-47页
     ·扫描电子显微镜(SEM)分析及透射电子显微镜(TEM)分第47-51页
     ·CuS的反应机理第51-52页
     ·N2吸附-脱附分析第52-53页
     ·可见光光催化性能曲线第53-54页
   ·本章小结第54-56页
结论第56-57页
参考文献第57-66页
致谢第66-67页
攻读学位期间发表的学术论文及申请的专利情况第67-68页

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