| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第l章 绪论 | 第12-44页 |
| ·高压物理学及高压技术 | 第12-27页 |
| ·高压物理学及其进展 | 第12-14页 |
| ·高压的分类 | 第14-15页 |
| ·静态高压装置 | 第15-19页 |
| ·压力的标定方法 | 第19-22页 |
| ·高压下的测试手段 | 第22-24页 |
| ·材料在高压下的特性 | 第24-27页 |
| ·拓扑绝缘体和拓扑超导体介绍 | 第27-41页 |
| ·固体能带理论 | 第27-28页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第28-29页 |
| ·拓扑能带理论 | 第29-33页 |
| ·拓扑超导和超流 | 第33-34页 |
| ·拓扑绝缘体实验进展 | 第34-40页 |
| ·拓扑超导体实验研究 | 第40-41页 |
| ·本论文的研宄内容和意义 | 第41-44页 |
| 第2章 实验设备和实验方法 | 第44-52页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·单晶样品的生长 | 第44-45页 |
| ·x射线衍射技术 | 第45-47页 |
| ·粉末x射线衍射物相分析 | 第45-46页 |
| ·Rietveld结构精修方法 | 第46-47页 |
| ·高压同步辐射x射线衍射 | 第47-49页 |
| ·同步辐射光源介绍 | 第47页 |
| ·高压同步辐射x射线衍射 | 第47-49页 |
| ·高压原位电性质测量 | 第49-50页 |
| ·其他所用到的实验方法和实验设备 | 第50-52页 |
| ·多用途测量系统 | 第50-52页 |
| 第3章 Bi_2Te_3 高压下的结构和性质研究 | 第52-78页 |
| ·引言 | 第52-54页 |
| ·Bi_2Te_3单晶样品的制备 | 第54-55页 |
| ·Bi_2Te_3在高压下的相变 | 第55-64页 |
| ·室温下的高压原位同步辐射研究 | 第56-60页 |
| ·低温下的高压原位同步辐射研究 | 第60-64页 |
| ·Bi_2Te_3的高压电性研宄 | 第64-73页 |
| ·p型样品在高压下的电性研究 | 第64-70页 |
| ·n型样品在高压下的电性研究 | 第70-73页 |
| ·Bi_2Te_3常压结构相的在高压下的拓扑性 | 第73-76页 |
| ·p型样品的常压结构相在高压下的拓扑性 | 第73-75页 |
| ·n型样品的常压结构相在高压下的拓扑性 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 Sb_2Te_3在高压下的结构和性质研究 | 第78-94页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·单晶样品的合成 | 第79-80页 |
| ·Sb_2Te_3在高压下的同步辐射研宄 | 第80-86页 |
| ·Sb_2Te_3室温高压同步辐射研究 | 第80-83页 |
| ·Sb_2Te_3低温高压同步辐射研究 | 第83-86页 |
| ·Sb_2Te_3在高压下的电阻和超导性研宄 | 第86-92页 |
| ·常压结构相在高压下的电输运和超导性 | 第86-90页 |
| ·高压相的电输运和超导性 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第5章 Bi_2Se_3在高压下的结构和电性质研究 | 第94-100页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·单晶样品的生长 | 第94-95页 |
| ·高压下的同步辐射研宄 | 第95-97页 |
| ·高压下的电阻研宄 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第6章 BiTe的高压相变研究 | 第100-106页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·单晶样品的合成 | 第100-101页 |
| ·BiTe在高压下的相变研宄 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第7章 总结与展望 | 第106-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 己发表与待发表文章 | 第119-120页 |