GaN纳米线的制备及其电学性能的理论研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·GaN材料的研究概述 | 第9-10页 |
| ·实验研究概况 | 第9-10页 |
| ·论研究概况 | 第10页 |
| ·GaN材料的性质 | 第10-12页 |
| ·物理和化学性质 | 第10-12页 |
| ·光学和电学性质 | 第12页 |
| ·其他性质 | 第12页 |
| ·GaN材料的制备方法 | 第12-14页 |
| ·GaN薄膜的制备方法 | 第13页 |
| ·低维GaN材料的制备方法 | 第13-14页 |
| ·GaN材料的应用 | 第14-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验方案设计与GaN薄膜样品表征 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·实验仪器及药品 | 第17-18页 |
| ·工艺流程 | 第18-21页 |
| ·测试与表征技术 | 第21-22页 |
| ·GaN薄膜的制备与表征 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 GaN一维材料的制备与表征 | 第25-45页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·以硝酸镍为催化剂的一维GaN材料的制备 | 第25-33页 |
| ·氨化温度对一维GaN材料的影响 | 第27页 |
| ·结果分析 | 第27-32页 |
| ·生长机理讨论 | 第32-33页 |
| ·以氧化锌为缓冲层的一维GaN材料的制备 | 第33-37页 |
| ·氨化温度对一维GaN材料的影响 | 第34页 |
| ·结果分析 | 第34-37页 |
| ·生长机理讨论 | 第37页 |
| ·Al掺一维GaN材料的制备 | 第37-41页 |
| ·结果分析 | 第37-41页 |
| ·一维GaN材料的场发射性能研究 | 第41-43页 |
| ·本征GaN纳米线的场发射性能研究 | 第42页 |
| ·掺杂GaN纳米线的场发射性能研究 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 GaN纳米线的第一性原理计算 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第45-46页 |
| ·DMol3软件包介绍 | 第46-47页 |
| ·理想GaN纳米线的电学性能研究 | 第47-51页 |
| ·理论模型 | 第47-48页 |
| ·计算方法 | 第48-49页 |
| ·结果分析 | 第49-51页 |
| ·Al掺杂GaN纳米线的电学性能研究 | 第51-54页 |
| ·理论模型 | 第51-52页 |
| ·计算方法 | 第52页 |
| ·结果分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 工作总结和展望 | 第55-57页 |
| 一、工作总结 | 第55-56页 |
| 二、工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
