| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-44页 |
| ·太阳电池的研究现状 | 第10-26页 |
| ·研究意义 | 第10-12页 |
| ·第二代太阳电池的研究进展 | 第12-20页 |
| ·第三代太阳电池的机遇 | 第20-26页 |
| ·微晶硅薄膜的研究现状 | 第26-33页 |
| ·降低生长温度 | 第26-30页 |
| ·提高生长速率 | 第30-31页 |
| ·控制非晶孕育层的厚度 | 第31-33页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第33-38页 |
| ·准一维纳米硅材料的研究背景 | 第33-34页 |
| ·硅纳米线的应用研究 | 第34-38页 |
| ·硅纳米线太阳电池 | 第34-35页 |
| ·纳米传感器 | 第35-36页 |
| ·纳米电子器件 | 第36-37页 |
| ·合成其它纳米材料的模板 | 第37-38页 |
| ·本论文的主要工作 | 第38-39页 |
| ·微晶硅薄膜的研究 | 第38-39页 |
| ·硅纳米线的研究 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第二章 硅基材料的制备与表征 | 第44-80页 |
| ·微晶硅薄膜的制备方法 | 第44-56页 |
| ·微晶硅薄膜的间接制备法 | 第44-46页 |
| ·微晶硅薄膜的直接制备法 | 第46-56页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第46-48页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第48-56页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第56-65页 |
| ·物理刻蚀法 | 第57-58页 |
| ·激光烧蚀法 | 第58-59页 |
| ·溶液生长法 | 第59-60页 |
| ·热蒸发法 | 第60-64页 |
| ·化学气相沉积法 | 第64-65页 |
| ·纳米电化学法 | 第65页 |
| ·硅基材料的物性表征方法 | 第65-73页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第65-66页 |
| ·拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第66-67页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第67-68页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第68-69页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第69-71页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第71-72页 |
| ·光学透射谱(Optical Transmission Spectroscopy) | 第72-73页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 第三章 ICP-CVD低温制备微晶硅薄膜的气相输运机制 | 第80-94页 |
| ·低温制备微晶硅薄膜的意义 | 第80-83页 |
| ·d_(IS)对硅薄膜物性的影响 | 第83-90页 |
| ·d_(IS)对硅薄膜微观结构的影响 | 第83-88页 |
| ·d_(IS)对硅薄膜光学性质的影响 | 第88-90页 |
| ·ICP-CVD低温制备微晶硅薄膜的气相传输机制 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第四章 ICP-CVD低温生长硅薄膜的铝诱导晶化及其晶化机理 | 第94-116页 |
| ·传统金属诱导非晶硅薄膜的晶化机制 | 第94-100页 |
| ·金属诱导非晶硅薄膜晶化方法 | 第94-95页 |
| ·金属诱导非晶硅薄膜晶化机理 | 第95-100页 |
| ·ICP-CVD过程中硅薄膜的铝诱导晶化生长 | 第100-112页 |
| ·玻璃衬底上硅薄膜的铝诱导晶化生长 | 第100-105页 |
| ·柔性衬底上硅薄膜的铝诱导晶化生长 | 第105-111页 |
| ·ICP-CVD过程中铝诱导晶化硅薄膜的原位生长机理 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第五章 硅纳米线的CVD制备及其光学特性 | 第116-124页 |
| ·硅纳米线的CVD制备 | 第116-118页 |
| ·硅纳米线的结构和光学特性 | 第118-122页 |
| ·硅纳米线的结构 | 第118-121页 |
| ·硅纳米线的光学特性 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-124页 |
| 第六章 总结 | 第124-127页 |
| ·本论文的主要结论 | 第124-125页 |
| ·下一步的工作及展望 | 第125-127页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128页 |
