| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·研究手段及表征方法 | 第11-16页 |
| ·研究手段概述 | 第11-12页 |
| ·渡越时间法 | 第12-15页 |
| ·渡越时间法需满足的实验条件 | 第15-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 KLTN 样品的准备、吸收谱以及介电温谱测试 | 第17-27页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·TOF 实验晶体样品的制备 | 第17-20页 |
| ·KLTN 系晶体的生长及定向、切割、抛光处理 | 第17页 |
| ·样品清洗 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第18-20页 |
| ·样品吸收特性测试 | 第20-23页 |
| ·样品介温特性测试 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 载流子迁移机制以及TOF 实验系统 | 第27-36页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·载流子迁移机制 | 第27-28页 |
| ·扩散 | 第27-28页 |
| ·漂移 | 第28页 |
| ·光生伏打效应 | 第28页 |
| ·晶体内的缺陷及陷阱对载流子的影响 | 第28-30页 |
| ·TOF 实验系统的搭建 | 第30-33页 |
| ·实验信号的提取和优化 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 KLTN 晶体TOF 信号的处理与迁移率的计算 | 第36-52页 |
| ·TOF 光电流信号处理的理论基础 | 第36-39页 |
| ·Scher-Montroll 模型 | 第36-37页 |
| ·KLTN 晶体载流子渡越时间的获得 | 第37-39页 |
| ·KLTN 晶体载流子迁移过程研究 | 第39-50页 |
| ·外电路RC 特性的影响 | 第39-43页 |
| ·KLTN 晶体载流子迁移率的计算 | 第43-46页 |
| ·迁移率与外加电场的依赖关系 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |