| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| 1．1 双功能元件与材料研究的意义 | 第7-8页 |
| 1．2 关于本课题的工作 | 第8-9页 |
| 1．3 双功能元件的主要性能参数 | 第9-11页 |
| 第二章 SrTiO_3双功能元件的工作原理 | 第11-19页 |
| 2．1 双功能元件的晶界 | 第11-13页 |
| 2．1．1 对于陶瓷晶界的认识 | 第11-12页 |
| 2．1．2 陶瓷中的晶界偏析 | 第12页 |
| 2．1．3 晶界的能带结构 | 第12-13页 |
| 2．2 双功能原理 | 第13-17页 |
| 2．2．1 电容性 | 第13页 |
| 2．2．2 压敏性 | 第13页 |
| 2．2．3 肖脱基势垒 | 第13-15页 |
| 2．2．4 晶界的导电性质 | 第15-16页 |
| 2．2．5 晶界参数的测量 | 第16-17页 |
| 2．3 影响双功能元件性能的主要因素 | 第17-18页 |
| 2．3．1 材料粉体的制备 | 第17页 |
| 2．3．2 对基体材料的掺杂 | 第17-18页 |
| 2．3．3 烧结方法的影响 | 第18页 |
| 2．4 电性能与微观结构的关系 | 第18-19页 |
| 第三章 予合成料的制备及添加剂的使用 | 第19-31页 |
| 3．1 制备工艺简介 | 第19页 |
| 3．2 SrTiO_3粉体制备方法的选择 | 第19-22页 |
| 3．2．1 粒度与比表面积的比较 | 第20-21页 |
| 3．2．2 粉料微观结构的差异 | 第21页 |
| 3．2．3 半导化程度上的差异 | 第21-22页 |
| 3．3 1#添加剂的使用 | 第22-23页 |
| 3．3．1 钙钛矿结构对n型半导化的影响 | 第22-23页 |
| 3．3．2 Nb_2O_5的掺杂作用 | 第23页 |
| 3．3．3 La_2O_3、Y_2O_3的作用 | 第23页 |
| 3．4 CaCO_3的掺杂 | 第23-26页 |
| 3．4．1 Ca掺杂对半导化的影响 | 第24-25页 |
| 3．4．2 Ca掺杂对晶界处化学环境的影响 | 第25-26页 |
| 3．5 TiO_2掺杂的作用 | 第26-31页 |
| 3．5．1 过量Ti和Sr的固溶限 | 第26页 |
| 3．5．2 适当的钛过量促进晶粒生长 | 第26-27页 |
| 3．5．3 Ti／Sr≈1时可降低对氧分压的要求 | 第27-28页 |
| 3．5．4 Ti／Sr比和施主掺杂的配合 | 第28-29页 |
| 3．5．5 掺杂对氧化后电性能参数的作用 | 第29-31页 |
| 第四章 主合成料中添加剂的使用 | 第31-44页 |
| 4．1 CuO、LiOH·H_2O的作用及扩散层的形成 | 第31-36页 |
| 4．1．1 试验现象 | 第31-32页 |
| 4．1．2 Li掺杂的影响 | 第32页 |
| 4．1．3 Cu掺杂的影响 | 第32-33页 |
| 4．1．4 作用机理小结 | 第33-34页 |
| 4．1．5 晶界层的形成 | 第34-35页 |
| 4．1．6 晶界层的形成原理 | 第35-36页 |
| 4．2 Mn对复合功能的影响 | 第36-44页 |
| 4．2．1 Mn的变价过程及其相变温度的计算 | 第36-39页 |
| 4．2．2 受主作用及其对电性能的影响 | 第39-41页 |
| 4．2．3 作为晶界形成剂有利于提高非线性系数 | 第41页 |
| 4．2．4 MnCO_3的热分解反应 | 第41-44页 |
| 第五章 后续处理工艺原理 | 第44-51页 |
| 5．1 烧银电极的影响 | 第44-45页 |
| 5．2 电极效应 | 第45-46页 |
| 5．3 热处理改善SrTiO_3环形元件的性能 | 第46-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |