| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| 1-1 研究背景和研究动机 | 第7-9页 |
| 1-2 本论文的主要内容及其安排 | 第9-11页 |
| 第二章 生长制备技术和表征技术 | 第11-22页 |
| 2-1 材料生长设备 | 第11页 |
| 2-2 扫描电子显微镜(SEM) | 第11-13页 |
| 2-3 X-射线衍射仪(XRD) | 第13-14页 |
| 2-4 透射电子显微镜(TEM) | 第14-15页 |
| 2-5 共焦显微荧光光谱系统 | 第15-17页 |
| 2-6 拉曼光谱仪简介和几种常见实验配置 | 第17-22页 |
| 第三章 氧化镓纳米带的制备工艺及其表征 | 第22-33页 |
| 3-1 低维半导体材料的结构单元及生长机制 | 第22-27页 |
| 3-2 β-Ga_2O_3纳米结构制备方法及其进展 | 第27-29页 |
| 3-3 β-Ga_2O_3纳米带晶格结构和表征 | 第29-33页 |
| 第四章 氧化镓纳米带的杂质态光谱研究 | 第33-36页 |
| 4-1 β-Ga_2O_3纳米带变温荧光光谱实验配置 | 第33页 |
| 4-2 单根氧化镓纳米带的变温荧光光谱的实验结果和讨论 | 第33-36页 |
| 第五章 氧化镓纳米带电场各向异性研究 | 第36-43页 |
| 5-1 拉曼散射理论 | 第36-37页 |
| 5-2 β-Ga_2O_3纳米带的拉曼光谱及实验分析 | 第37-43页 |
| 第六章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
