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高性能低功耗多端口寄存器文件研究与全定制实现

目录第1-4页
摘要第4-5页
Abstract第5-7页
英文缩写说明第7-9页
表目录第9-10页
图目录第10-13页
第一章 绪论第13-18页
   ·寄存器文件简介第13-14页
   ·寄存器文件发展及研究现状第14-15页
   ·全定制设计流程第15-17页
   ·本文工作及结构第17-18页
第二章 SRAM原理及设计技术第18-32页
   ·SRAM结构与工作原理第18-19页
   ·SRAM设计技术第19-30页
     ·SRAM存储单元设计第19-22页
     ·敏感放大器与位线预冲电—均衡第22-25页
     ·写数据驱动器第25-26页
     ·地址译码器第26-27页
     ·时序控制策略第27-30页
   ·小结第30-32页
第三章 基于敏感放大技术、双位线读存储单元寄存器文件设计第32-60页
   ·寄存器文件的总体结构与时序第32-35页
   ·电路设计与优化第35-48页
     ·译码器的设计第35-38页
     ·存储单元设计第38-44页
     ·读数据通路的设计第44-46页
     ·读写控制电路的设计第46-48页
   ·寄存文件功能、性能与功耗仿真第48-54页
   ·版图设计、验证与后仿真第54-59页
     ·整体版图布局与布线规划第54-55页
     ·子模块的版图设计第55-58页
     ·版图验证第58页
     ·参数提取与后仿真第58-59页
   ·小结第59-60页
第四章 基于位线分割技术、静态单位线读存储单元寄存器文件设计第60-71页
   ·寄存器文件的总体结构第60-61页
   ·电路设计与优化第61-65页
     ·译码器和控制电路的设计第61-63页
     ·存储单元的设计第63-64页
     ·读数据通路的设计第64-65页
   ·功能、性能和功耗仿真第65-66页
   ·版图设计、验证与后仿真第66-70页
     ·子模块的版图设计第67-70页
     ·版图后仿真第70页
   ·小结第70-71页
第五章 基于位线分割技术、动态单位线读存储单元寄存器文件设计第71-80页
   ·寄存器文件总体结构第72-73页
   ·电路设计与优化第73-76页
     ·译码器与充电信号产生电路第73-75页
     ·存储阵列与读数据通路的设计第75-76页
   ·性能功耗仿真结果第76-77页
   ·版图设计与后仿真第77-79页
   ·小结第79-80页
第六章 总结与展望第80-82页
参考文献第82-85页
致谢第85-86页

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