| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·氧化物介质薄膜及其应用 | 第13-20页 |
| ·钙钛矿结构铁电氧化物及其薄膜的应用 | 第13-18页 |
| ·尖晶石结构铁磁氧化物及其薄膜的应用 | 第18-20页 |
| ·氧化物介质薄膜表面与界面的研究进展 | 第20-26页 |
| ·界面研究中存在的主要科学技术问题 | 第26-27页 |
| ·论文选题以及研究方案 | 第27-29页 |
| 第二章 实验原理与过程 | 第29-45页 |
| ·激光分子束外延装置与原理 | 第29-30页 |
| ·原位反射式高能电子衍射 | 第30-37页 |
| ·外延薄膜RHEED衍射图案的主要信息 | 第31-35页 |
| ·外延薄膜生长模式与PHEED衍射图案 | 第35-37页 |
| ·薄膜的后位分析与表征方法 | 第37-41页 |
| ·X射线衍射分析 | 第37-38页 |
| ·表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜断面透射电子显微分析 | 第39-41页 |
| ·薄膜的电畴表征及电性能测试 | 第41-45页 |
| ·PFM的表面电畴成像技术 | 第41-43页 |
| ·电性能测试 | 第43-45页 |
| 第三章 CoFe_2O_4铁磁氧化物薄膜生长模式控制与界面特性研究 | 第45-65页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·反射高能电子衍射图案的标定 | 第46-47页 |
| ·CoFe_2O_4薄膜外延生长模式的确定 | 第47-54页 |
| ·基片的表面处理 | 第48-49页 |
| ·生长温度对CoFe_2O_4薄膜生长的影响 | 第49-52页 |
| ·沉积速率对CoFe_2O_4薄膜生长的影响 | 第52-54页 |
| ·CoFe_2O_4薄膜生长模式控制 | 第54-56页 |
| ·CoFe_2O_4薄膜界面微结构分析 | 第56-64页 |
| ·界面失配应力释放与位错运动 | 第56-59页 |
| ·界面层临界厚度的计算原理与实验观测 | 第59-62页 |
| ·界面扩散弛豫的动力学过程 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第四章 CoFe_2O_4异质外延薄膜中界面应力调制及其性能的研究 | 第65-89页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·界面应力对CoFe_2O_4异质外延薄膜的结构控制与性能研究 | 第66-75页 |
| ·正/负失配下CoFe_2O_4薄膜异质外延生长的界面结构与应力分布 | 第67-71页 |
| ·界面应力对CoFe_2O_4异质外延薄膜磁晶各向异性的影响 | 第71-75页 |
| ·BaTiO_3/CoFe_2O_4异质外延薄膜中界面应力调制及其性能研究 | 第75-87页 |
| ·BaTiO_3/CoFe_2O_4异质外延薄膜中的应力分布模型与计算 | 第75-83页 |
| ·界面应力调制作用下BaTiO_3/CoFe_2O_4异质外延薄膜的电磁性能研究 | 第83-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 第五章 Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3铁电氧化物薄膜取向生长控制及其界面特性的研究 | 第89-112页 |
| ·引言 | 第89-90页 |
| ·外延Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜的取向生长控制及机理研究 | 第90-99页 |
| ·LaNiO_3缓冲层诱导Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜取向外延生长的研究 | 第91-93页 |
| ·取向外延Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜的界面结构与取向机理 | 第93-97页 |
| ·取向外延Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜铁电性能比较 | 第97-99页 |
| ·多晶Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜择优取向控制及机理研究 | 第99-110页 |
| ·晶化过程中Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜的择优取向生长规律 | 第100-105页 |
| ·晶化Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜的界面结构与取向生长机理 | 第105-108页 |
| ·择优取向Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜的电畴与极化特性研究 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 第六章 BaTiO_3铁电薄膜在GaAs基片上外延生长及其性能的研究 | 第112-134页 |
| ·引言 | 第112-113页 |
| ·BaTiO_3/GaAs大晶格失配体系的生长与界面控制 | 第113-128页 |
| ·BaTiO_3在MgO缓冲层上的生长规律及界面特性 | 第114-118页 |
| ·BaTiO_3在SrTiO_3缓冲层上的生长规律及界面特性 | 第118-125页 |
| ·BaTiO_3/SrTiO_3/GaAs中的界面应变层控制 | 第125-128页 |
| ·GaAs基片上的外延生长BaTiO_3铁电薄膜性能研究 | 第128-133页 |
| ·BaTiO_3/SrTiO_3/GaAs异质结P-V特性 | 第128-129页 |
| ·BaTiO_3/SrTiO_3/GaAs异质结ε-T特性 | 第129-130页 |
| ·BaTiO_3/SrTiO_3/GaAs异质结J-V特性 | 第130-133页 |
| ·小结 | 第133-134页 |
| 第七章 主要结论与创新点 | 第134-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-150页 |
| 攻博期间的研究成果及发表的学术论文 | 第150-152页 |
| 攻博期间已发表和待发表的论文 | 第150-151页 |
| 已授权和申请中的专利 | 第151-152页 |
| 个人简历 | 第152页 |
