| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-11页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·硅半导体中掺杂磷的重要意义 | 第7-8页 |
| ·硅半导体中掺杂磷的研究现状 | 第8-9页 |
| ·本论文工作 | 第9-11页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第11-26页 |
| ·分子轨道理论 | 第11-15页 |
| ·闭壳层组态的Hartree-Fock-Roothaan(HFR)方程 | 第12-14页 |
| ·开壳层组态的HFR 方程 | 第14-15页 |
| ·密度泛函理论（DENSITY FUNCTIONAL THEORY , DFT） | 第15-16页 |
| ·基组的选择 | 第16-18页 |
| ·振动频率的计算 | 第18-20页 |
| ·谐振频率的计算 | 第18-19页 |
| ·零点振动能 | 第19-20页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第20-24页 |
| ·化学反应过渡态的数学模型 | 第20-21页 |
| ·过渡态的计算方法 | 第21-23页 |
| ·反应速率常数理论 | 第23-24页 |
| ·内禀反应坐标理论 | 第24-26页 |
| 第三章 PCL_3/H_2气相反应机理的理论研究 | 第26-40页 |
| ·计算方法 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-39页 |
| ·PCl_3/H_2气相初始反应微观反应机理分析 | 第27-29页 |
| ·PCl_2H 和H_2气相微观反应机理分析 | 第29-31页 |
| ·PClH_2、PCl 和H_2气相反应微观反应机理分析 | 第31-34页 |
| ·PH_3+PH、PH_3+PCl 和PH+PCl 气相反应微观反应机理分析 | 第34-37页 |
| ·主反应通道的确认 | 第37-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第四章 PCL_3/H_2在硅衬底表面上反应机理的理论研究 | 第40-62页 |
| ·计算方法 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-60页 |
| ·Si_2原子簇模型 | 第41-47页 |
| ·Si_3原子簇模型 | 第47-52页 |
| ·Si_4原子簇模型 | 第52-60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 本人在校期间发表论文情况 | 第68-69页 |
