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位错与微裂纹的纳观实验力学研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-34页
   ·材料的缺陷第9-12页
   ·位错的观察及其变形场的表征第12-19页
   ·电子显微镜的发展及其成像技术第19-23页
   ·裂纹尖端力学行为的表征第23-27页
   ·硅锗异质结构的研究现状第27-29页
   ·实验力学技术的发展第29-32页
   ·本文的工作第32-34页
第二章 纯铝位错芯周围变形场的实验测定第34-50页
   ·理论模型第34-36页
     ·线弹性理论给出的刃型位错位移和应变第34-35页
     ·Peierls-Nabarro 位错模型给出的刃型位错位移和应变第35-36页
     ·Foreman 位错模型给出的刃型位错位移和应变第36页
   ·实验方法第36-41页
     ·几何相位分析第36-41页
     ·实验过程第41页
   ·实验结果及分析第41-49页
     ·实验结果及与三种位错模型的比较第41-46页
     ·Foreman 位错模型的进一步分析第46-49页
   ·本章结论第49-50页
第三章 多晶金位错芯和晶界周围变形场的实验测定第50-66页
   ·实验方法第50-53页
     ·数值云纹法第50-53页
     ·实验过程第53页
   ·实验结果及分析第53-64页
     ·刃型位错实验结果及与三种位错模型的比较第53-60页
     ·小角度晶界的结构与变形场第60-64页
   ·本章结论第64-66页
第四章 单晶硅微裂纹纳观变形场的实验测定第66-88页
   ·实验方法第66页
   ·实验结果及分析第66-87页
     ·[111]方向观察的裂纹第66-71页
     ·[110]方向观察的裂纹(一)第71-74页
     ·[110]方向观察的裂纹(二)第74-84页
     ·[110]方向观察的裂纹(三)第84-87页
   ·本章结论第87-88页
第五章 硅锗异质结构的纳米尺度应变分析第88-100页
   ·实验方法第88-89页
   ·实验结果及分析第89-99页
     ·Si_(0.76)Ge_(0.24)/Ge/Si 界面的应变分析第89-93页
     ·Si_(0.76)Ge_(0.24)/Ge/Si 结构缺陷的应变分析第93-94页
     ·Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si 量子岛表面的应变分析第94-97页
     ·Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si 结构缺陷的应变分析第97-99页
   ·本章结论第99-100页
第六章 全文总结第100-104页
   ·总结第100-102页
   ·展望第102-104页
参考文献第104-117页
致谢第117-118页
个人简历、在读期间取得的科研成果第118页

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