| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·相变存储器概述 | 第12-17页 |
| ·相变存储的机理 | 第12-13页 |
| ·相变存储的主要工作特性 | 第13-17页 |
| ·相变存储器国内外研究现状 | 第17-23页 |
| ·相变存储材料的基础研究 | 第17-18页 |
| ·相变存储材料的结构设计与小尺寸化的研究 | 第18-20页 |
| ·高密度 PCM 存储单元阵列设计与生产预研 | 第20页 |
| ·相变存储器的失效问题与可靠性研究 | 第20-21页 |
| ·相变存储器的发展进程与商业应用 | 第21-23页 |
| ·本论文的研究意义和主要内容 | 第23-26页 |
| ·本论文的研究意义 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 基于Ga-SbTe 的相变存储器的有限元传热学分析 | 第26-45页 |
| ·有限元分析方法与传热学基本原理 | 第26-32页 |
| ·有限元分析方法概述 | 第26-29页 |
| ·传热学基础 | 第29-32页 |
| ·基于Ga-SbTe 的相变存储器的有限元热分析 | 第32-43页 |
| ·Ga-SbTe 相变材料介绍 | 第32-34页 |
| ·实验与仿真方法 | 第34-37页 |
| ·仿真结果与对比分析 | 第37-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 基于Ga-SbTe 的相变存储器的结晶动力学和电阻特性分析 | 第45-54页 |
| ·结晶动力学基本原理 | 第45-46页 |
| ·合金的晶体结构与结晶 | 第45页 |
| ·合金的结晶过程 | 第45-46页 |
| ·相变存储器结晶动力学仿真原理与方法 | 第46-48页 |
| ·仿真结果与对比分析 | 第48-52页 |
| ·存储阵列对相变存储器电阻特性影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 1T1R 结构的相变存储器的电路模拟、结构优化与小尺寸化分析 | 第54-71页 |
| ·1T1R 结构的相变存储器原理 | 第54-59页 |
| ·1T1R 结构与存储阵列 | 第54-56页 |
| ·1T1R 结构PCM 理想电路模型 | 第56-59页 |
| ·1T1R 结构的相变存储器电路的 MATLAB 仿真与结构优化分析 | 第59-69页 |
| ·相变电阻与最佳传输功率的约束条件分析 | 第59-62页 |
| ·器件结构设计的优化 | 第62-63页 |
| ·非理想条件下的电路模拟和 SPICE 分析 | 第63-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 总结与展望 | 第71-74页 |
| ·论文工作总结 | 第71-72页 |
| ·基于 Ga-SbTe 的相变存储器的有限元传热学分析 | 第71-72页 |
| ·基于 Ga-SbTe 的相变存储器的结晶动力学与电学性能分析 | 第72页 |
| ·1T1R 结构的相变存储器的电路模拟、结构优化与小尺寸化分析 | 第72页 |
| ·相变存储器的发展前景 | 第72-73页 |
| ·下一阶段的研究工作 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 发表论文与专利情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
