| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-40页 |
| ·光解水制氢的基础理论 | 第12-16页 |
| ·半导体光催化的基本理论 | 第12-13页 |
| ·光催化分解水的原理 | 第13-15页 |
| ·光电催化分解水的结构体系 | 第15-16页 |
| ·影响光解水效率的因素 | 第16页 |
| ·提高半导体光催化性能的途径 | 第16-17页 |
| ·半导体复合 | 第16-17页 |
| ·贵金属沉积 | 第17页 |
| ·金属离子掺杂 | 第17页 |
| ·二氧化钛光电化学的研究进展 | 第17-26页 |
| ·TiO_2的光催化机理 | 第17-18页 |
| ·TiO_2光催化性能的影响因素 | 第18-21页 |
| ·提高二氧化钛光电化学性能的途径 | 第21-26页 |
| ·钛酸锶材料及其光电化学性能 | 第26-37页 |
| ·钛酸锶的物理特性 | 第26-27页 |
| ·钛酸锶的半导体化 | 第27-30页 |
| ·钛酸锶粉体的制备 | 第30-33页 |
| ·钛酸锶薄膜的制备 | 第33-35页 |
| ·钛酸锶材料的光电化学应用 | 第35-37页 |
| ·镍氢电池的镧系储氢合金负极 | 第37-39页 |
| ·各种合金化元素对AB_5型电极合金性能的影响 | 第37-38页 |
| ·表面处理及微包覆的影响 | 第38页 |
| ·制备工艺的影响 | 第38页 |
| ·添加剂对电极性能的影响 | 第38-39页 |
| ·贮氢合金及可光充电电池的研究进展 | 第39页 |
| ·课题的提出及其意义 | 第39-40页 |
| 第二章 实验方法 | 第40-45页 |
| ·可光充电半导体材料的制备 | 第40-42页 |
| ·纳米二氧化钛的表面修饰 | 第40页 |
| ·纳米钛酸锶粉体的直接沉淀法制备 | 第40页 |
| ·钛酸锶薄膜的制备 | 第40-42页 |
| ·储氢合金的制备 | 第42页 |
| ·电极的制备 | 第42-43页 |
| ·TiO_2-Pt/Mm(Ni_(3.6)Mn_(0.4)Al_(0.3)Co_(0.7))电极制备 | 第42-43页 |
| ·SrTiO_3薄膜电极的制备 | 第43页 |
| ·SrTiO_3/Ni/LaNi_(3.7)Al_(1.3)电极的制备 | 第43页 |
| ·电极性能测试 | 第43-44页 |
| ·光电化学性能的测试 | 第43-44页 |
| ·光充电性能的测试 | 第44页 |
| ·仪器分析 | 第44-45页 |
| ·XRD分析 | 第44页 |
| ·SEM/EDS/TEM分析 | 第44页 |
| ·紫外吸收光谱分析 | 第44-45页 |
| 第三章 TiO_2-Pt/Mm(Ni_(3.6)Mn_(0.4)Al_(0.3)Co_(0.7))电极的可助光充电研究 | 第45-67页 |
| ·Pt在纳米TiO_2微粒上的光辅助沉积 | 第45-50页 |
| ·光辅助沉积的Pt-TiO_2纳米微粒的形貌和结构 | 第45-49页 |
| ·光辅助沉积的Pt-TiO_2纳米颗粒的光吸收谱 | 第49页 |
| ·光辅助沉积的机理 | 第49-50页 |
| ·TiO_2-0.5 wt.%Pt/贮氢合金电极的光电化学性能 | 第50-54页 |
| ·TiO_2-0.5 wt.%Pt/贮氢合金电极的制备 | 第50页 |
| ·TPM的光电化学性能 | 第50-54页 |
| ·TPM电极的光充电行为研究 | 第54-57页 |
| ·TPM电极的电流辅助光充电研究 | 第57-59页 |
| ·TPM电极光充电机理分析 | 第59-65页 |
| ·光充电的两种可能的机理 | 第60-62页 |
| ·光充电机理对实验现象的解释 | 第62-65页 |
| ·影响TPM电极光充电效率的因素 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 纳米SrTiO_3粉体的沉淀法制备及MHS电极的光充电行为 | 第67-76页 |
| ·纳米SrTiO_3的制备、组织结构 | 第67-69页 |
| ·纳米SrTiO_3粉体的制备 | 第67-69页 |
| ·MHS电极的制备 | 第69-70页 |
| ·MHS电极的循环伏安和准稳态极化行为 | 第70-72页 |
| ·MHS电极的光充电行为 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 SrTiO_3薄膜的水热法制备及其光电性能 | 第76-83页 |
| ·SrTiO_3薄膜的水热反应合成及表征 | 第76-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 磁控溅射SrTiO_3薄膜的制备及光电性能与光充电性能 | 第83-108页 |
| ·SrTiO_3薄膜的射频磁控溅射法制备及表征 | 第83-87页 |
| ·SrTiO_3薄膜的射频磁控溅射法制备 | 第83-84页 |
| ·SrTiO_3薄膜的XRD和SEM研究 | 第84-86页 |
| ·SrTi_(0.995)Nb_(0.005)O_3薄膜的紫外吸收光谱研究 | 第86-87页 |
| ·磁控溅射SrTi_(0.995)Nb_(0.005)O_3薄膜的光电化学性能 | 第87-96页 |
| ·不同热处理温度对磁控溅射SrTi_(0.995)Nb_(0.005)O_3薄膜的光电性能的影响 | 第88-92页 |
| ·薄膜厚度对磁控溅射SrTi_(0.995)Nb_(0.005)O_3薄膜的光电性能的影响 | 第92-94页 |
| ·不同Nb掺杂浓度对磁控溅射法制备的薄膜的光电性能的影响 | 第94-96页 |
| ·SrTiO_3薄膜的光充电性能 | 第96-105页 |
| ·SrTiO_3/Ni/贮氢合金(SNH)电极的制备 | 第96页 |
| ·晶化温度对光充电性能的影响 | 第96-101页 |
| ·薄膜厚度对光充电性能的影响 | 第101-103页 |
| ·Nb掺杂浓度对光充电性能的影响 | 第103-105页 |
| ·光充电机理研究 | 第105-107页 |
| ·贮氢合金的电化学充电过程 | 第105页 |
| ·SNH电极的光充电过程 | 第105-106页 |
| ·光充电机理对SNH电极光充电过程的解释 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 结论 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-122页 |
| 攻读博士学位期间所完成的部分论文 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
