| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·金刚石的结构性质 | 第7-10页 |
| ·人工合成金刚石薄膜的发展 | 第10-11页 |
| ·CVD 金刚石膜制备方法 | 第11-13页 |
| ·CVD 法生长金刚石膜的基理 | 第13-14页 |
| ·论文的选题和主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 实验设备及表征方法概述 | 第15-18页 |
| ·热丝 CVD 方法制备金刚石薄膜设备简介 | 第15-16页 |
| ·金刚石薄膜的常用表征方法简介 | 第16-18页 |
| 第三章 利用纳米金刚石粉引晶方法在 Al_2O_3 和 SiO_2 生长的金刚石薄膜的特性研究 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·灯丝的选择 | 第19页 |
| ·纳米金刚石粉的处理方法 | 第19-20页 |
| ·基底的制备 | 第20-21页 |
| ·金刚石薄膜的生长 | 第21页 |
| ·金刚石薄膜的表征 | 第21-32页 |
| ·基底温度对纳米引晶法合成金刚石薄膜的影响 | 第22-25页 |
| ·碳源浓度对金刚石薄膜质量的影响 | 第25-28页 |
| ·基底与灯丝间的距离对金刚石薄膜生长的影响 | 第28-32页 |
| 第四章 利用纳米金刚石粉引晶方法在Al_2O_3和 SiO_2基底上生长的P 型掺杂金刚石薄膜的电学性质研究 | 第32-47页 |
| ·硼源的选择 | 第33页 |
| ·在氧化铝上掺杂金刚石薄膜的制 | 第33-34页 |
| ·硼源浓度对金刚石薄膜表面形貌、晶向和生长速 | 第34-38页 |
| ·重掺杂金刚石薄膜的拉曼谱分析 | 第38-40页 |
| ·掺杂金刚石薄膜的电学性质研究 | 第40-45页 |
| ·硼源浓度对掺杂金刚石薄膜附着力的影响 | 第45-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 摘要 | 第55-57页 |
| Abstract | 第57-60页 |
| 致 谢 | 第60页 |