15Gb/s CMOS单片集成并行传输光接收前端放大器设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·光纤通信介绍 | 第9页 |
| ·光纤通信的发展历史 | 第9-10页 |
| ·国内光纤通信的发展 | 第10页 |
| ·项目介绍 | 第10页 |
| ·甚短距离（VSR）光传输技术 | 第10-13页 |
| ·VSR技术在网络体系中的作用 | 第11页 |
| ·VSR标准 | 第11-12页 |
| ·VSR4-1.0 系统 | 第12-13页 |
| ·VSR技术的应用 | 第13页 |
| ·光通信系统结构 | 第13页 |
| ·论文组织 | 第13-15页 |
| 第二章 光接收机及其性能分析 | 第15-27页 |
| ·光接收机介绍 | 第15-17页 |
| ·光接收机系统结构 | 第15页 |
| ·光接收机工作原理 | 第15-16页 |
| ·光接收机指标 | 第16-17页 |
| ·光检测器 | 第17-22页 |
| ·光检测器工作原理 | 第17页 |
| ·光检测器分类 | 第17-18页 |
| ·光检测器指标 | 第18-19页 |
| ·光检测器噪声特性 | 第19-20页 |
| ·CMOS集成光检测器 | 第20-21页 |
| ·项目使用的光检测器 | 第21-22页 |
| ·光接收机的噪声 | 第22-24页 |
| ·噪声的统计特性 | 第22页 |
| ·集成电路噪声分类 | 第22-24页 |
| ·光接收机的灵敏度 | 第24-27页 |
| ·Q因子 | 第25-26页 |
| ·接收机的均方根噪声推算 | 第26页 |
| ·光接收器灵敏度的计算 | 第26-27页 |
| 第三章 单片集成光接收前端放大器设计及工艺选择 | 第27-33页 |
| ·光通信领域常用半导体材料 | 第27-28页 |
| ·硅材料 | 第27页 |
| ·砷化镓 | 第27-28页 |
| ·磷化铟 | 第28页 |
| ·基于CMOS工艺的高速集成电路 | 第28页 |
| ·并行传输光接收前端放大器工艺选择 | 第28-29页 |
| ·单片集成电路设计方法 | 第29-30页 |
| ·单片集成光前端放大电路设计 | 第30-33页 |
| 第四章 前置放大器的设计 | 第33-51页 |
| ·前置放大器的分类 | 第33-35页 |
| ·低阻前置放大器 | 第33-34页 |
| ·高阻前置放大器 | 第34页 |
| ·跨阻前置放大器 | 第34-35页 |
| ·前置放大器的选择 | 第35页 |
| ·电压并联负反馈 | 第35-37页 |
| ·闭环增益 | 第35页 |
| ·增益灵敏度 | 第35-36页 |
| ·输入电阻 | 第36页 |
| ·输出电阻 | 第36页 |
| ·频率失真 | 第36-37页 |
| ·跨阻放大器的指标 | 第37-38页 |
| ·跨阻增益 | 第37页 |
| ·噪声 | 第37页 |
| ·带宽 | 第37-38页 |
| ·功耗 | 第38页 |
| ·眼图 | 第38页 |
| ·跨阻放大器的分类 | 第38-43页 |
| ·共源极跨阻放大器 | 第39页 |
| ·电流模形式跨阻放大器 | 第39-40页 |
| ·RGC跨阻放大器 | 第40-42页 |
| ·差分跨阻放大器 | 第42-43页 |
| ·跨阻放大器的设计 | 第43-51页 |
| ·电路结构 | 第43-45页 |
| ·电路分析 | 第45-48页 |
| ·仿真结果 | 第48-51页 |
| 第五章 主放大器的设计 | 第51-73页 |
| ·主放大器的分类 | 第51-55页 |
| ·宽带放大器技术 | 第55-62页 |
| ·放大器的级联 | 第55-56页 |
| ·宽带放大器技术 | 第56-62页 |
| ·输出缓冲及LVDS标准 | 第62-63页 |
| ·输出缓冲 | 第62页 |
| ·LVDS电平 | 第62-63页 |
| ·限幅放大器的指标 | 第63-65页 |
| ·限幅放大器的设计 | 第65-70页 |
| ·限幅放大器单元电路 | 第66-69页 |
| ·仿真结果 | 第69-70页 |
| ·光接收机前端放大电路的仿真结果 | 第70-73页 |
| ·交流特性仿真 | 第70-71页 |
| ·瞬态特性仿真 | 第71-72页 |
| ·噪声特性仿真 | 第72-73页 |
| 第六章 版图设计 | 第73-81页 |
| ·CMOS模拟版图设计 | 第73-75页 |
| ·设计规则 | 第73页 |
| ·寄生电阻 | 第73页 |
| ·寄生电容 | 第73-74页 |
| ·闩锁效应 | 第74页 |
| ·天线效应 | 第74页 |
| ·金属连线电流密度 | 第74页 |
| ·其它因素 | 第74-75页 |
| ·单路光接收前端放大器版图设计 | 第75-77页 |
| ·跨阻放大器版图设计 | 第75-76页 |
| ·限幅放大器版图设计 | 第76页 |
| ·布局及焊盘设计 | 第76-77页 |
| ·衬底隔离 | 第77-79页 |
| ·衬底的寄生效应 | 第77-78页 |
| ·衬底隔离的方法 | 第78-79页 |
| ·12 路并行传输光接收前端放大器版图设计 | 第79-81页 |
| 第七章 测试 | 第81-93页 |
| ·测试环境 | 第81-83页 |
| ·在晶圆测试 | 第81-82页 |
| ·芯片测试环境 | 第82-83页 |
| ·单路光接收前端放大器测试 | 第83-88页 |
| ·电测试 | 第84-86页 |
| ·光电转换测试 | 第86-87页 |
| ·测试总结 | 第87-88页 |
| ·12 路并行传输光接收前端放大器测试 | 第88-93页 |
| ·电测试 | 第88-90页 |
| ·信道隔离测试 | 第90-91页 |
| ·测试总结 | 第91-93页 |
| 第八章 总结 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
