| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·Si_3N_4陶瓷基复合材料 | 第9-10页 |
| ·颗粒增强陶瓷基复合材料制备工艺 | 第10-13页 |
| ·烧结法 | 第10-11页 |
| ·先驱体浸渍裂解法 | 第11-12页 |
| ·化学气相渗透法 | 第12-13页 |
| ·计算机数值模拟技术 | 第13-18页 |
| ·ICVI工艺中的计算机模拟 | 第14-17页 |
| ·有限差分法与 Matlab概述 | 第17页 |
| ·遗传算法概述 | 第17-18页 |
| ·本文的选题依据和研究目标 | 第18页 |
| ·选题依据 | 第18页 |
| ·研究目标 | 第18页 |
| ·研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 偏微分方程的有限差分法 | 第20-31页 |
| ·前言 | 第20页 |
| ·有限差分法 | 第20-30页 |
| ·差分方法的基本概念 | 第20-21页 |
| ·二阶线性偏微分方程 | 第21-22页 |
| ·差分格式的建立 | 第22-30页 |
| ·有限差分法在复合材料学中的应用 | 第30-31页 |
| 第三章 Si_3N_(4p)/Si_3N_4颗粒预制体的制备与结构表征 | 第31-37页 |
| ·前言 | 第31页 |
| ·Si_3N_4从颗粒预制体的制备 | 第31-34页 |
| ·预压 | 第31-32页 |
| ·烘干 | 第32页 |
| ·手工造粒 | 第32页 |
| ·最终压力成型 | 第32-33页 |
| ·ICVI过程 | 第33页 |
| ·排水法测孔隙率 | 第33-34页 |
| ·颗粒预制体孔隙结构与孔隙率 | 第34-37页 |
| 第四章 ICVI法制备过程的计算机模拟 | 第37-52页 |
| ·前言 | 第37页 |
| ·ICVI模拟计算 | 第37-50页 |
| ·模型的建立与描述 | 第37-38页 |
| ·基本假设 | 第38页 |
| ·传质方程的建立 | 第38-40页 |
| ·气体浓度分布差分方程的建立 | 第40-42页 |
| ·沉积反应计算 | 第42-43页 |
| ·基本参数的确定 | 第43-47页 |
| ·ICVI模拟流程图 | 第47-49页 |
| ·模拟终止时间的确定 | 第49-50页 |
| ·模拟结果与分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 基于遗传算法的预制体颗粒优化 | 第52-58页 |
| ·前言 | 第52页 |
| ·遗传算法 | 第52-53页 |
| ·预制体颗粒大小优化及 ICVI工艺优化 | 第53-57页 |
| ·颗粒预制体沉积致密度最大化优化 | 第54-56页 |
| ·ICVI工艺参数优化 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 西北工业大学业学位论文知识产权声明书 | 第65页 |
| 西北工业大学学位论文原创性声明 | 第65页 |