| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-9页 |
| ·本研究的价值和意义 | 第7页 |
| ·3d 过渡金属离子光磁学性质研究的现状 | 第7-8页 |
| ·本文的研究方法和内容 | 第8-9页 |
| 第二章 基本理论 | 第9-29页 |
| ·晶体场理论 | 第9-17页 |
| ·晶体场近似 | 第10-12页 |
| ·晶场耦合图像 | 第12-13页 |
| ·晶体场势 | 第13-15页 |
| ·晶体场理论的应用 | 第15-17页 |
| ·分子轨道理论 | 第17-24页 |
| ·分子轨道近似 | 第18-21页 |
| ·分子轨道理论的应用 | 第21-22页 |
| ·其它一些研究的内容和困难 | 第22-24页 |
| ·电子顺磁共振理论 | 第24-29页 |
| ·电子自旋共振理论简介 | 第24-25页 |
| ·电子自旋共振理论 | 第25-26页 |
| ·g 因子 | 第26-27页 |
| ·零场分裂和精细结构 | 第27-28页 |
| ·电子顺磁共振的自旋哈密顿理论 | 第28-29页 |
| 第三章 基本公式和哈密顿 | 第29-40页 |
| ·四角压缩晶场中 3d~9离子的能级分裂 | 第29-34页 |
| ·D_(4 h) 晶场位能 | 第29页 |
| ·晶场能级表达式 | 第29-34页 |
| ·四角晶场中3d~9离子自旋哈密顿参量 | 第34-40页 |
| 第四章 应用与结果分析 | 第40-42页 |
| ·Cu~(2+)在NH_4 X ( X= Cl , Br , I ) 中EPR g 因子的计算 | 第40-41页 |
| ·讨论 | 第41-42页 |
| 第五章 主要结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-54页 |
| 致谢 | 第54页 |