| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| 1． 课题研究的意义 | 第7-8页 |
| 2． 计算方法和理论 | 第8-10页 |
| 2．1 基于第一性原理的计算方法 | 第8-9页 |
| 2．2 密度泛函理论 | 第9-10页 |
| 3． 电子学性能表征参数—态密度和Mulliken集居数 | 第10-14页 |
| 3．1 总态密度(TDOS)和部分态密度(PDOS) | 第10-11页 |
| 3．2 Mulliken集居数分析 | 第11-14页 |
| 4． 研究内容和思路 | 第14-16页 |
| 第二章 (C_4H_9NH_3)_2MI_4(M=Ge，Sn，Pb)体系的电子学性能计算 | 第16-38页 |
| 1． 对电荷分布的比较和分析 | 第16-21页 |
| 1．1 模型的建立 | 第16-18页 |
| 1．2 计算程序的设置 | 第18页 |
| 1．3 计算结果及分析 | 第18-21页 |
| 2． 态密度图分析 | 第21-38页 |
| 2．1 模型的建立 | 第21-23页 |
| 2．2 计算程序的设置 | 第23页 |
| 2．3 偏态密度图中“共振”峰与成键的关系 | 第23-24页 |
| 2．4 总态密度图分析 | 第24-30页 |
| 2．5 偏态密度图分析 | 第30-38页 |
| 第三章 (C_nH_(2n+1)NH_3)_2PbI_4(n=4，5，6)体系的电子学性能研究 | 第38-46页 |
| 1． 模型的建立 | 第38-40页 |
| 2． 计算程序设置 | 第40页 |
| 3． 计算结果及分析 | 第40-46页 |
| 第四章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
