| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-41页 |
| §1.1 薄膜的定义 | 第15-17页 |
| §1.2 薄膜材料的研究现状及发展前景 | 第17-18页 |
| §1.3 课题选择的背景 | 第18-22页 |
| ·金刚石薄膜的优缺点 | 第19-20页 |
| ·立方氮化硼薄膜的优缺点 | 第20-22页 |
| §1.4 硼碳氮薄膜的研究现状和存在的问题 | 第22-32页 |
| ·硼碳氮薄膜的研究现状 | 第23-31页 |
| ·硼碳氮薄膜的理论研究 | 第24-26页 |
| ·硼碳氮薄膜的实验研究 | 第26-31页 |
| ·存在的问题 | 第31-32页 |
| §1.5 硼碳氮薄膜的表征 | 第32-39页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第33-34页 |
| ·X—射线光电子能谱(XPS) | 第34-36页 |
| ·X—射线衍射(XRD) | 第36-38页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第39页 |
| §1.6 课题选择与研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜 | 第41-68页 |
| §2.1 溅射的基本原理 | 第41-48页 |
| ·辉光放电 | 第42-43页 |
| ·溅射机理 | 第43-46页 |
| ·溅射薄膜的结构 | 第46-47页 |
| ·溅射成膜速率 | 第47-48页 |
| §2.2 射频磁控溅射原理及实验装置 | 第48-51页 |
| §2.3 硼碳氮薄膜的制备 | 第51-54页 |
| ·薄膜制备的基本程序 | 第51-52页 |
| ·衬底表面处理 | 第52-53页 |
| ·硼碳氮薄膜的沉积 | 第53-54页 |
| §2.4 在合适实验条件下沉积的硼碳氮簿膜 | 第54-67页 |
| ·硼碳氮薄膜的傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第55-57页 |
| ·硼碳氮薄膜的X—射线光电子能谱(XPS) | 第57-60页 |
| ·硼碳氮薄膜的X—射线衍射分析(XRD) | 第60-61页 |
| ·硼碳氮薄膜的扫描电子显微镜测试(SEM) | 第61-65页 |
| ·硼碳氮薄膜的原子力显微镜测试(AFM) | 第65-67页 |
| §2.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 硼碳氮薄膜的生长和内应力研究 | 第68-89页 |
| §3.1 引言 | 第68-69页 |
| §3.2 硼碳氮的薄膜残余应力分析 | 第69-71页 |
| §3.3 减小硼碳氮薄膜内应力的方法 | 第71-75页 |
| §3.4 射频功率对硼碳氮薄膜生长和内应力的影响 | 第75-78页 |
| ·实验 | 第75-76页 |
| ·结果和讨论 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第78页 |
| §3.5 氮气分压比对硼碳氮薄膜生长和内应力的影响 | 第78-81页 |
| ·实验 | 第78-79页 |
| ·结果和讨论 | 第79-81页 |
| ·结论 | 第81页 |
| §3.6 沉积温度对硼碳氮薄膜生长和内应力的影响 | 第81-84页 |
| ·实验 | 第81-82页 |
| ·结果和讨论 | 第82-84页 |
| ·结论 | 第84页 |
| §3.7 沉积时间对硼碳氮薄膜生长和内应力的影响 | 第84-87页 |
| ·实验 | 第84-85页 |
| ·结果和讨论 | 第85-87页 |
| ·结论 | 第87页 |
| §3.8 本章小结 | 第87-89页 |
| 第四章 沉积参数对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 | 第89-107页 |
| §4.1 射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 | 第89-94页 |
| ·实验 | 第89-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-93页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| §4.2 气体分压比对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 | 第94-98页 |
| ·实验 | 第94-95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-98页 |
| ·结论 | 第98页 |
| §4.3 沉积温度对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 | 第98-102页 |
| ·实验 | 第98-99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-102页 |
| ·结论 | 第102页 |
| §4.4 沉积时间对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 | 第102-106页 |
| ·实验 | 第103页 |
| ·结果与讨论 | 第103-105页 |
| ·结论 | 第105-106页 |
| §4.5 本章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 沉积参数对硼碳氮薄膜的光透过性质的影响 | 第107-115页 |
| §5.1 射频功率对硼碳氮薄膜光透过性质的影响 | 第107-109页 |
| ·结果与讨论 | 第107-108页 |
| ·结论 | 第108-109页 |
| §5.2 氮气分压比对硼碳氮薄膜光透过性质的影响 | 第109-110页 |
| ·结果与讨论 | 第109页 |
| ·结论 | 第109-110页 |
| §5.3 沉积温度对硼碳氮薄膜光透过性质的影响 | 第110-112页 |
| ·结果与讨论 | 第110-111页 |
| ·结论 | 第111-112页 |
| §5.4 沉积时间对硼碳氮簿膜光透过性质的影响 | 第112-113页 |
| ·结果与讨论 | 第112页 |
| ·结论 | 第112-113页 |
| §5.5 本章小结 | 第113-115页 |
| 第六章 总结与展望 | 第115-118页 |
| §6.1 总结 | 第115-116页 |
| §6.2 展望 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-132页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第132-133页 |
| 长春理工大学博士论文原创性声明 | 第133页 |