| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-36页 |
| ·GaN的基本性质 | 第13-16页 |
| ·GaN材料生长技术 | 第16-22页 |
| ·金属有机物化学汽相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) | 第17-19页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第19-20页 |
| ·卤化物汽相外延(Hybride Vapor Phase Epitaxy) | 第20页 |
| ·横向外延过生长(Epitaxial Lateral Overgrowth) | 第20-22页 |
| ·GaN材料掺杂 | 第22-23页 |
| ·GaN的n型掺杂 | 第22-23页 |
| ·GaN的p型掺杂 | 第23页 |
| ·GaN基器件应用 | 第23-27页 |
| ·光电子器件应用 | 第24-26页 |
| ·微电子器件应用 | 第26-27页 |
| ·硅基GaN材料发展及应用前景 | 第27-30页 |
| ·硅基GaN生长的关键问题 | 第28页 |
| ·工艺的改进 | 第28-29页 |
| ·硅衬底GaN基LED研究进展 | 第29-30页 |
| ·立题思路及主要研究工作 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第三章 氮化镓MOCVD生长系统 | 第36-44页 |
| ·MOCVD材料生长机理 | 第36页 |
| ·自制MOCVD设备 | 第36-39页 |
| ·MOCVD设备的优化设计 | 第39-40页 |
| ·实验前的准备步骤 | 第40-43页 |
| ·衬底的清洗 | 第40-41页 |
| ·有机源的选择 | 第41-42页 |
| ·管路和腔体的冲洗 | 第42-43页 |
| ·材料的表征 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 硅基GaN薄膜生长研究 | 第44-63页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·GaN外延生长工艺 | 第44-46页 |
| ·两步外延生长工艺 | 第45页 |
| ·实验步骤 | 第45-46页 |
| ·GaN生长机制研究 | 第46-53页 |
| ·GaN与Si(111)外延关系 | 第46-48页 |
| ·GaN生长中的形核过程 | 第48-50页 |
| ·GaN薄膜生长模型 | 第50-53页 |
| ·缓冲层对GaN生长的影响 | 第53-56页 |
| ·载气对GaN生长的影响 | 第56-59页 |
| ·镓源流速(Ⅴ/Ⅲ)对GaN生长的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 硅基GaN薄膜性质研究 | 第63-81页 |
| ·GaN的缺陷研究 | 第63-71页 |
| ·GaN外延层的微裂纹 | 第63-64页 |
| ·GaN外延层中线位错的产生 | 第64-65页 |
| ·X射线衍射分析GaN外延层中的位错密度 | 第65-68页 |
| ·GaN表面形貌分析 | 第68-71页 |
| ·GaN的光致发光 | 第71-73页 |
| ·GaN的拉曼光谱 | 第73-75页 |
| ·GaN的电学性质 | 第75-76页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N三元合金 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第六章 结论 | 第81-82页 |
| 第七章 对今后工作的一些思考 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 硕士在读期间发表文章 | 第84页 |
