| 笫一章 绪论 | 第1-15页 |
| 1-1 太阳电池的发展 | 第8-9页 |
| 1-2 太阳电池的分类 | 第9-10页 |
| 1-2-1 按材料和单晶结构分类 | 第9-10页 |
| 1-2-2 按结构分类 | 第10页 |
| 1-3 太阳电池的展望 | 第10-11页 |
| 1-4 本文指导思想与创新点 | 第11-13页 |
| 1-4-1 本课题的指导思想 | 第11-12页 |
| 1-4-2 本课题的主要创新点 | 第12-13页 |
| 1-4-3 成果鉴定、获奖情况 | 第13页 |
| 1-5 论文结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 太阳电池的基本理论 | 第15-32页 |
| 2-1 电子和空穴的输运 | 第15-17页 |
| 2-1-1 漂移 | 第15-16页 |
| 2-1-2 半导体的电导率与迁移率之间的关系 | 第16页 |
| 2-1-3 扩散 | 第16-17页 |
| 2-1-4 扩散方程 | 第17页 |
| 2-2 产生与复合 | 第17-23页 |
| 2-2-1 产生 | 第17-18页 |
| 2-2-2 复合 | 第18-23页 |
| 2-3 太阳辐射能谱 | 第23-24页 |
| 2-4 太阳电池的理想转换效率 | 第24-26页 |
| 2-5 提高太阳电池转换效率的技术 | 第26-32页 |
| 第三章 ZnSe／GaAs／Ge三叠层太阳电池的研究 | 第32-51页 |
| 3-1 三叠层太阳电池材料的选择 | 第32-34页 |
| 3-1-1 总体思路 | 第32页 |
| 3-1-2 三叠层太阳电池材料的选择 | 第32-34页 |
| 3-2 ZnSe p-n结的光伏特性 | 第34-38页 |
| 3-2-1 ZnSe p-n结太阳电池样品的制备 | 第34-35页 |
| 3-2-2 ZnSe p-n结太阳电池样品分析 | 第35-38页 |
| 3-3 ZnSe／GaAs／Ge三结迭层电池及其电流匹配 | 第38-42页 |
| 3-3-1 ZnSe／GaAs／Ge三结迭层电池的结构及结构分析 | 第38-40页 |
| 3-3-2 ZnSe／GaAs／Ge与GaInP_2／GaAs／Ge的比较 | 第40-42页 |
| 3-3-3 ZnSe／GaAs／Ge三结迭层电池的电流匹配 | 第42页 |
| 3-4 太阳电池的辐射损伤和抗辐射性能 | 第42-44页 |
| 3-5 ZnSe太阳电池几种的结构 | 第44-50页 |
| 3-5-1 金属／i-ZnSe／n-ZnSe肖特基MIS结构 | 第44-46页 |
| 3-5-2 n-ZnSe／P~+-GaAs异质结太阳电池 | 第46-50页 |
| 3-6 结论 | 第50-51页 |
| 第四章 梯度掺杂对太阳电池效率的影响 | 第51-70页 |
| 4-1 引言 | 第51页 |
| 4-2 p-n结电池的电场 | 第51-54页 |
| 4-3 光电流和光电压 | 第54-61页 |
| 4-3-1 光电流 | 第54-60页 |
| 4-3-2 光电压 | 第60-61页 |
| 4-4 梯度掺杂场对光谱响应的影响 | 第61-62页 |
| 4-5 梯度掺杂场对饱和电流的影响 | 第62-66页 |
| 4-5-1 有限尺寸太阳电池表面复合对饱和电流的影响 | 第62-64页 |
| 4-5-2 梯度掺杂电场对饱和电流影响因子的推导 | 第64-65页 |
| 4-5-3 表面复合速度和梯度掺杂场对饱和电流的影响 | 第65-66页 |
| 4-6 非均匀掺杂耗尽层外电场强度的近似解析解 | 第66-70页 |
| 4-6-1 梯度参杂电场的近似解析计算 | 第66-68页 |
| 4-6-2 n区指数掺杂电场的讨论 | 第68-70页 |
| 第五章 非均匀掺杂耗尽层外电场强度的数值计算 | 第70-79页 |
| 5-1 引言 | 第70页 |
| 5-2 非均匀掺杂耗尽层外电场强度的数值计算 | 第70-75页 |
| 5-2-1 p-n结非均匀搀杂耗尽层外电场的计算 | 第70-73页 |
| 5-2-2 不同搀杂方案的比较 | 第73-75页 |
| 5-2-3 结论 | 第75页 |
| 5-3 梯度掺杂对ZnSe太阳电池光谱响应的影响 | 第75-79页 |
| 5-3-1 ZnSe n-p结外量子效应实验曲线的分析 | 第76页 |
| 5-3-2 梯度掺杂电场的计算及对外量子效率的影响 | 第76-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第88页 |
