| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-29页 |
| ·铁电薄膜制备与应用 | 第13-20页 |
| ·铁电材料概述 | 第13-14页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·铁电薄膜的介电可调原理 | 第17-19页 |
| ·铁电薄膜应用 | 第19-20页 |
| ·硅化钛薄膜及其纳米线的制备与应用 | 第20-22页 |
| ·硅化钛组成与结构 | 第20-21页 |
| ·硅化钛薄膜的应用与制备 | 第21-22页 |
| ·硅化钛纳米线的应用与制备 | 第22页 |
| ·基于边缘电场的边缘电场电容器概况 | 第22-26页 |
| ·边缘电场电容器概述 | 第22-24页 |
| ·边缘电场电容器的应用 | 第24-26页 |
| ·本论文研究的目的意义及研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 实验方法 | 第29-35页 |
| ·实验原料与仪器 | 第29-31页 |
| ·硅化钛薄膜及纳米线制备用原料与仪器 | 第29-30页 |
| ·PST陶瓷靶材及薄膜制备用原料与仪器 | 第30-31页 |
| ·APCVD制备硅化钛薄膜和纳米线的实验方法 | 第31-32页 |
| ·硅化钛薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·硅化钛纳米线/薄膜一体化复合结构的制备 | 第32页 |
| ·固相烧结法制备PST陶瓷靶材与射频磁控溅射法制备PST介电薄膜实验方法 | 第32-33页 |
| ·靶材的制备 | 第32页 |
| ·薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·测试设备及其原理 | 第33-35页 |
| ·X射线衍射 | 第33页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第33页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第33页 |
| ·介电性能测试 | 第33-35页 |
| 第三章 硅化钛薄膜及其纳米线的制备研究 | 第35-47页 |
| ·硅化钛(Ti_5Si_3)薄膜的制备研究 | 第35-37页 |
| ·硅化钛(TiSi)纳米线制备研究 | 第37-42页 |
| ·TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜稳定性研究 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 不同电极上(ITO/硅化钛)PST薄膜制备与结构形成 | 第47-59页 |
| ·以ITO为电极的PST薄膜的制备及其结构研究 | 第47-50页 |
| ·以硅化钛薄膜为电极的PST薄膜的制备及其结构研究 | 第50-54页 |
| ·以硅化钛纳米线为电极的PST薄膜制备及其结构研究 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 不同电极上(ITO/硅化钛)的PST薄膜介电性能研究 | 第59-75页 |
| ·ITO电极上的PST薄膜介电性能研究 | 第59-62页 |
| ·TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜电极上的PST薄膜的介电可调性研究 | 第62-72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 第六章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 个人简历 | 第84-85页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第85页 |
