| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-21页 |
| ·真空中固体绝缘介质沿面闪络现象研究的意义 | 第10页 |
| ·真空中固体绝缘介质沿面闪络现象研究的现状 | 第10-18页 |
| ·影响真空中固体绝缘介质沿面闪络的因素 | 第10-15页 |
| ·关于真空中固体绝缘介质沿面闪络机理的假说 | 第15-18页 |
| ·绝缘子表面带电现象和陷阱的研究 | 第18-19页 |
| ·真空中固体绝缘介质沿面闪络研究存在的问题 | 第19-20页 |
| ·本文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 试验装置及测试方法 | 第21-36页 |
| ·热刺激电流(TSC)试验研究系统 | 第21-29页 |
| ·TSC简介 | 第21页 |
| ·TSC试验系统的设计和实现 | 第21-25页 |
| ·TSC试验的试验方法和程序 | 第25-27页 |
| ·TSC试验系统的校验 | 第27-29页 |
| ·真空中陶瓷材料的沿面闪络试验系统 | 第29-35页 |
| ·冲击电压源 | 第29-30页 |
| ·电极形式 | 第30页 |
| ·真空环境 | 第30页 |
| ·沿面闪络试验信号的测量 | 第30-32页 |
| ·实时信号测量与记录 | 第32-33页 |
| ·沿面闪络试验的试验方法 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第三章 陶瓷试品的TSC特性和陷阱分布 | 第36-57页 |
| ·介质材料的陷阱 | 第36-37页 |
| ·介质陷阱的几种测量方法 | 第37-41页 |
| ·空间电荷限制电流法(SCLC) | 第37-39页 |
| ·光刺激电流法(PSC) | 第39页 |
| ·等温衰减电流法(IDC) | 第39-41页 |
| ·TSC理论和陷阱参数计算方法 | 第41-45页 |
| ·本文所用陶瓷试品的制备和命名 | 第45-47页 |
| ·TSC试验结果 | 第47-50页 |
| ·烧结温度对氧化铝陶瓷试品陷阱分布的影响 | 第50-52页 |
| ·添加剂对氧化铝陶瓷试品TSC特性和陷阱分布的影响 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第四章 氧化铝陶瓷的陷阱特性对其表面带电特性的影响 | 第57-75页 |
| ·未经闪络处理的试品的表面电荷分布 | 第57-62页 |
| ·各类试品在-2kV至-14kV下的表面电荷分布规律 | 第57-60页 |
| ·各类试品在-16kV至-20kV下的表面电荷分布规律 | 第60-61页 |
| ·各类试品在-22kV直至沿面闪络的表面电荷分布规律 | 第61-62页 |
| ·闪络处理后各类试品的表面电荷分布 | 第62-65页 |
| ·试验结果分析 | 第65-72页 |
| ·影响陶瓷试品表面带电的因素 | 第65-66页 |
| ·未经闪络处理的试品在不同电压阶段表面带电的原因 | 第66-70页 |
| ·经闪络处理的试品在不同电压阶段表面带电的原因 | 第70-72页 |
| ·真空中氧化铝陶瓷的表面带电机制 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第五章 氧化铝陶瓷的陷阱特性对其沿面闪络特性的影响 | 第75-83页 |
| ·不同加电压方式对陶瓷材料沿面闪络性能的影响 | 第75-77页 |
| ·三种加压方式下试品的首轮沿面闪络特性 | 第75页 |
| ·经闪络处理后试品的闪络特性 | 第75-77页 |
| ·试验结果分析 | 第77页 |
| ·陶瓷陷阱与其沿面闪络性能的内在联系 | 第77-82页 |
| ·试验结果 | 第78页 |
| ·试验结果分析 | 第78-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 致 谢 | 第95-97页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及参加的科研工作 | 第97-98页 |
