多孔硅和硅胶作为基质的激光解吸离子化飞行时间质谱
| 第一章 文献综述 | 第1-27页 |
| 第一节 基体辅助激光解吸离子化飞行时间质谱 | 第7-13页 |
| 1． 引言 | 第7-8页 |
| 2． MALDI的基本原理 | 第8-10页 |
| 3． TOF-MS的基本原理 | 第10页 |
| 4． MALDI-TOF-MS的应用 | 第10-13页 |
| 4．1 多肽与蛋白质分析 | 第10-11页 |
| 4．2 核甘酸分析 | 第11页 |
| 4．3 糖类化合物分析 | 第11-12页 |
| 4．4 高分子化合物研究 | 第12-13页 |
| 第二节 多孔硅表面的解吸离子化质谱 | 第13-22页 |
| 1． 论文研究背景 | 第13页 |
| 2． 多孔硅表面的解吸离子化质谱 | 第13-15页 |
| 3． 无机材料多孔硅 | 第15-22页 |
| 3．1 多孔硅的制备方法 | 第16-18页 |
| 3．2 多孔硅的孔隙率 | 第18-19页 |
| 3．3 多孔硅表面的化学反应 | 第19-22页 |
| 3．4 DIOS-MS的应用前景 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 DIOS技术及其应用 | 第27-39页 |
| 1． 引言 | 第27页 |
| 2． 实验部分 | 第27-28页 |
| 3． 结果与讨论 | 第28-38页 |
| 3．1 多孔硅的制备方法 | 第28-29页 |
| 3．2 电解条件的确立 | 第29-30页 |
| 3．3 多孔硅的扫描电镜图 | 第30-32页 |
| 3．4 DIOS与MALDI技术的谱图比较 | 第32页 |
| 3．5 DIOS应用于氨基酸、肽和糖的分析 | 第32-35页 |
| 3．6 DIOS技术用于合成产物的分析 | 第35-36页 |
| 3．7 多孔硅的再生 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 DIOS技术的改进及原理推测 | 第39-46页 |
| 1． 引言 | 第39页 |
| 2． 实验部分 | 第39-40页 |
| 3． 结果与讨论 | 第40-46页 |
| 3．1 DIOS技术的改进 | 第40-43页 |
| 3．2 DIOS技术的机理推测 | 第43-46页 |
| 第四章 多孔硅及其衍生物作为基体的解吸离子化质谱 | 第46-59页 |
| 1． 引言 | 第46-47页 |
| 2． 实验部分 | 第47-49页 |
| 3． 结果与讨论 | 第49-58页 |
| 3．1 样品制备 | 第49-50页 |
| 3．2 硅胶及衍生物作为基体的特点 | 第50-53页 |
| 3．3 悬浮溶剂的选择 | 第53页 |
| 3．4 硅胶粒度和孔径的影响 | 第53-55页 |
| 3．5 硅胶表面的衍生化 | 第55页 |
| 3．6 机理推测 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 多孔硅表面的靶亲和质谱 | 第59-70页 |
| 1． 引言 | 第59-60页 |
| 2． 实验部分 | 第60-62页 |
| 3． 结果与讨论 | 第62-68页 |
| 3．1 药物分子的DIOS分析 | 第62-64页 |
| 3．2 键合BSA的亲和靶体的应用 | 第64-68页 |
| 3．3 键合了胰蛋白酶的亲和靶的应用 | 第68页 |
| 4． 结论 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
