等离子体浸没注入对材料表面改性的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-23页 |
| ·透明光电材料的研究进展 | 第7-13页 |
| ·透明导电金属氧化物材料概 | 第7-8页 |
| ·透明导电金属氧化物材料的制备工艺 | 第8-9页 |
| ·透明导电材料 | 第9-13页 |
| ·In_2O_3基透明导电材料 | 第9-11页 |
| ·ZnO薄膜材料 | 第11-13页 |
| ·多孔硅材料 | 第13-16页 |
| ·多孔硅材料概述 | 第13页 |
| ·多孔硅的发光机制讨论 | 第13-14页 |
| ·多孔硅材料的制备 | 第14-16页 |
| ·等离子体浸没注入技术 | 第16-21页 |
| ·传统的束线注入 | 第16-17页 |
| ·等离子体浸没注入技术 | 第17-18页 |
| ·等离子体浸没离子注入的应用 | 第18-19页 |
| ·等离子体浸没离子注入的发展 | 第19-21页 |
| ·本论文工作 | 第21页 |
| ·本论文工作的创新点 | 第21-23页 |
| 第二章 等离子体浸没离子注入实验装置 | 第23-29页 |
| ·等离子体浸没离子注入总体系统 | 第23-25页 |
| ·真空系统 | 第25页 |
| ·等离子体源 | 第25-26页 |
| ·脉冲高压电源 | 第26-29页 |
| 第三章 PⅢ注入的软件模拟和剂量计算 | 第29-37页 |
| ·SRIM软件模拟 | 第29-35页 |
| ·SRIM软件的介绍 | 第29-30页 |
| ·SRIM软件的应用 | 第30-35页 |
| ·剂量计算 | 第35-37页 |
| 第四章 PⅢ注入及性能表征 | 第37-64页 |
| ·In_2O_3基透明导电薄膜改性 | 第37-44页 |
| ·纯的In_2O_3透明薄膜的制备 | 第37页 |
| ·PⅢ材料表面注氮处理 | 第37-38页 |
| ·薄膜材料的表征 | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| ·ZnO薄膜的材料表面改性 | 第44-50页 |
| ·磁控溅射生长n型ZnO | 第44-45页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)n型ZnO薄膜 | 第45-46页 |
| ·PⅢ表面注氮处理 | 第46页 |
| ·ZnO薄膜性能的表征 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·多孔材料的表面改性 | 第50-64页 |
| ·多孔硅材料的制备 | 第50页 |
| ·PⅢ表面注氮处理 | 第50-51页 |
| ·多孔硅材料性能的表征 | 第51-61页 |
| ·发光机理讨论 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 主要结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
