| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·光学体全息存储 | 第9-10页 |
| ·铌酸锂晶体 | 第10-12页 |
| ·铌酸锂晶体的优势 | 第10-11页 |
| ·铌酸锂晶体的结构 | 第11-12页 |
| ·铌酸锂晶体的缺陷结构模型 | 第12-13页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第12-13页 |
| ·铌酸锂晶体的非本征缺陷 | 第13页 |
| ·铌酸锂晶体的全息存储特性 | 第13-16页 |
| ·单波长全息存储特性 | 第13-15页 |
| ·双色全息存储特性 | 第15-16页 |
| ·论文主要的研究内容和意义 | 第16-17页 |
| 第2章 In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体的内部结构分析 | 第17-27页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·全息存储材料的选择 | 第17-20页 |
| ·紫外—可见光吸收光谱 | 第20-23页 |
| ·紫外—可见光吸收光谱的测试结果 | 第20-21页 |
| ·紫外—可见光吸收光谱的结果分析 | 第21-23页 |
| ·红外OH-吸收光谱 | 第23-25页 |
| ·红外OH-吸收光谱的测试结果 | 第24-25页 |
| ·红外OH-吸收光谱的结果分析 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体在532nm波长下光折变性能的研究 | 第27-40页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·光折变效应的物理机制 | 第27-28页 |
| ·二波耦合的机理 | 第28-30页 |
| ·In:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的光折变性能 | 第30-39页 |
| ·抗光散射能力 | 第30-33页 |
| ·二波耦合指数增益系数 | 第33-35页 |
| ·衍射效率和响应时间 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体双色全息存储性能的研究 | 第40-49页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·双色全息存储的基本原理 | 第40-41页 |
| ·影响双色全息存储的因素 | 第41-42页 |
| ·双色全息存储性能的研究 | 第42-48页 |
| ·In~(3+)离子对双色全息存储的影响 | 第44页 |
| ·预照明对双色全息存储的影响 | 第44-45页 |
| ·光强比对双色全息存储的影响 | 第45-47页 |
| ·氧化还原处理对双色全息存储的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
