| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-18页 |
| 1.2 等离激元光探测器研究进展：从无机到有机 | 第18-24页 |
| 1.2.1 基于无机半导体的等离激元光探测 | 第18-22页 |
| 1.2.2 基于有机半导体的等离激元光探测 | 第22-24页 |
| 1.3 本文的研究目的、内容和组织结构 | 第24-25页 |
| 1.3.1 本文的研究目的 | 第24页 |
| 1.3.2 本文的研究内容 | 第24-25页 |
| 1.3.3 本文的组织结构 | 第25页 |
| 1.4 小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 金属纳米晶修饰有机光电子器件基础和理论 | 第32-63页 |
| 2.1 背景介绍 | 第32-39页 |
| 2.1.1“纳米”概念的提出 | 第32-33页 |
| 2.1.2 金纳米晶（AuNCs） | 第33-34页 |
| 2.1.3 有机半导体 | 第34-36页 |
| 2.1.4 有机-无机杂化钙钛矿 | 第36-39页 |
| 2.2 有机电子器件及光电探测应用 | 第39-43页 |
| 2.2.1 有机二极管 | 第39-40页 |
| 2.2.2 有机场效应晶体管 | 第40页 |
| 2.2.3 不同类型的有机光电探测器 | 第40-43页 |
| 2.3 常用术语 | 第43-46页 |
| 2.3.1 热电子 | 第43-44页 |
| 2.3.2 表面等离激元（SPs） | 第44页 |
| 2.3.3 表面等离极化激元（SPPs） | 第44-45页 |
| 2.3.4 局域表面等离激元共振（LSPR） | 第45-46页 |
| 2.4 等离激元增强机制 | 第46-55页 |
| 2.4.1 等离激元弛豫 | 第47-49页 |
| 2.4.2 远场散射效应 | 第49-50页 |
| 2.4.3 近场耦合增强 | 第50-51页 |
| 2.4.4 能量转移机制 | 第51-55页 |
| 2.5 其他增强机制 | 第55-56页 |
| 2.6 小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 第三章 金等离激元纳米晶提升亚带隙光探测性能——有机光敏二极管应用 | 第63-97页 |
| 3.1 研究背景 | 第64-65页 |
| 3.2 实验方法 | 第65-69页 |
| 3.2.1 ITO衬底图案刻蚀 | 第65-66页 |
| 3.2.2 超薄的金纳米晶制备 | 第66-67页 |
| 3.2.3 材料和有机光敏二极管制备 | 第67-68页 |
| 3.2.4 测量与表征 | 第68-69页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第69-90页 |
| 3.3.1 吸收特性研究 | 第69-70页 |
| 3.3.2 晶体结构与形貌表征 | 第70-73页 |
| 3.3.3 器件光电特性研究 | 第73-85页 |
| 3.3.4 理论分析与机理解释 | 第85-90页 |
| 3.4 小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 第四章 金纳米晶修饰实现超灵敏柔性宽带光探测性能——平面光电导应用 | 第97-142页 |
| 4.1 研究背景 | 第98-99页 |
| 4.2 实验方法 | 第99-102页 |
| 4.2.1 超薄的金纳米晶制备 | 第99页 |
| 4.2.2 钙钛矿材料合成与旋涂成膜 | 第99-100页 |
| 4.2.3 平面光电导器件制备 | 第100-102页 |
| 4.2.4 测量与表征 | 第102页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第102-133页 |
| 4.3.1 AuNCs厚度优化 | 第102-104页 |
| 4.3.2 薄膜表征及形貌优化 | 第104-108页 |
| 4.3.3 器件光电特性 | 第108-117页 |
| 4.3.4 时间稳定性和器件均一性 | 第117-120页 |
| 4.3.5 器件柔韧性 | 第120-121页 |
| 4.3.6 讨论和解释 | 第121-133页 |
| 4.4 小结 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-142页 |
| 第五章 金纳米晶修饰的有机场效应晶体管 | 第142-177页 |
| 5.1 研究背景 | 第143页 |
| 5.2 实验方法 | 第143-147页 |
| 5.2.1 超薄的金纳米晶制备 | 第144页 |
| 5.2.2 材料和有机场效应晶体管制备 | 第144-146页 |
| 5.2.3 测量与表征 | 第146-147页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第147-169页 |
| 5.3.1 AuNPs引入到SiO2/CuPc界面 | 第152-155页 |
| 5.3.2 AuNPs引入到CuPc薄膜中间 | 第155-156页 |
| 5.3.3 AuNPs淀积到CuPc薄膜表面 | 第156-160页 |
| 5.3.4 半定量解释AuNPs位置效应 | 第160-162页 |
| 5.3.5 有机活性层优化、器件均一性和稳定性 | 第162-164页 |
| 5.3.6 AuNPs表面修饰显著提升OFET光响应及弱光探测 | 第164-169页 |
| 5.4 小结 | 第169-171页 |
| 参考文献 | 第171-177页 |
| 第六章 结论与展望 | 第177-180页 |
| 6.1 全文总结 | 第177-178页 |
| 6.2 研究展望 | 第178-180页 |
| 参考文献 | 第180-181页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第181-184页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第184-187页 |
| 在学期间的研究成果及获奖情况 | 第187-191页 |
| 致谢 | 第191-192页 |
