| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-20页 |
| ·稀磁半导体 | 第9-13页 |
| ·稀磁半导体的概述 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体的性质 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体的研究进程 | 第12-13页 |
| ·纳米材料 | 第13-17页 |
| ·关于纳米材料的概念及性质 | 第13-15页 |
| ·关于SnO_2一维纳米材料 | 第15-17页 |
| ·本研究的动机和意义 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 稀磁半导体的磁学性质理论 | 第20-26页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源模型 | 第20-22页 |
| ·双交换作用模型 | 第20-21页 |
| ·Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY)交换作用模型 | 第21页 |
| ·束缚磁极化子模型(BMP) | 第21-22页 |
| ·稀磁半导体中的主要交换相互作用 | 第22-25页 |
| ·d-d交换作用 | 第22-23页 |
| ·sp-d交换作用 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 样品的制备和测试手段 | 第26-32页 |
| ·化学气相沉积法 | 第26-28页 |
| ·化学气相沉积法基本原理 | 第26页 |
| ·化学气相沉积法的主要生长机理 | 第26-28页 |
| ·样品的测试手段 | 第28-31页 |
| ·扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱(EDS)[4-5] | 第28页 |
| ·X射线衍射(XRD)[6-7] | 第28页 |
| ·光电子能谱(XPS)[8] | 第28-29页 |
| ·透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)[9] | 第29页 |
| ·拉曼光谱(RAMAN)[10] | 第29页 |
| ·光致发光谱(PL)[11] | 第29-30页 |
| ·振动样品磁强计(VSM)[12] | 第30页 |
| ·超导量子干涉磁强计(SQUID) | 第30-31页 |
| 参考文献: | 第31-32页 |
| 第四章 SnO_2和Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的制备和表征 | 第32-51页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| ·实验结果与讨论 | 第33-48页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)与X射线能量色散谱(EDS)研究 | 第33-36页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第36-38页 |
| ·光电子谱(XPS)分析 | 第38-39页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM)及选区电子衍射(SAED)分析 | 第39-40页 |
| ·拉曼散射(Raman)分析 | 第40-43页 |
| ·光致发光(PL)分析 | 第43-46页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID)分析 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 SnO_2和Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的生长机理研究 | 第51-57页 |
| ·样品的生长机理 | 第51-52页 |
| ·SnO_2一维纳米结构的VLS生长机理 | 第51页 |
| ·Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的VS生长机理 | 第51-52页 |
| ·Mn_xSn_(1-x)O_2纳米线VS生长机理的详细分析 | 第52-55页 |
| ·SEM数据分析 | 第52-53页 |
| ·XRD数据分析 | 第53-54页 |
| ·RAMAN数据分析 | 第54页 |
| ·PL数据分析 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 附录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
