| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| 1.1 离子-表面相互作用概述 | 第8-10页 |
| 1.2 离子-表面电荷转移研究现状 | 第10-18页 |
| 1.2.1 金属表面电荷转移研究 | 第10-13页 |
| 1.2.2 半导体表面电荷转移研究 | 第13-18页 |
| 1.3 本论文的研究意义与目的 | 第18页 |
| 1.4 论文安排 | 第18-20页 |
| 第二章 离子-表面相互作用基本概念 | 第20-41页 |
| 2.1 电荷交换理论 | 第20-28页 |
| 2.1.1 自由电子气模型 | 第20-22页 |
| 2.1.2 镜像电荷效应和能级的变化 | 第22-23页 |
| 2.1.3 电荷交换过程概述 | 第23-25页 |
| 2.1.4 共振电荷转移 | 第25-28页 |
| 2.2 离子的轨迹 | 第28-31页 |
| 2.2.1 两体碰撞模型 | 第28-29页 |
| 2.2.2 相互作用势 | 第29-31页 |
| 2.3 离子在表面的能量损失 | 第31-34页 |
| 2.3.1 核能损 | 第33页 |
| 2.3.2 电子能损 | 第33-34页 |
| 2.4 半导体介绍 | 第34-41页 |
| 2.4.1 Si(111)表面结构 | 第35-36页 |
| 2.4.2 固体的能带 | 第36-38页 |
| 2.4.3 Si(111)(7╳7)的电子结构 | 第38-41页 |
| 第三章 实验装置与方法 | 第41-55页 |
| 3.1 离子束系统 | 第42-44页 |
| 3.1.1 负离子源 | 第42-43页 |
| 3.1.2 Ar+离子枪 | 第43-44页 |
| 3.2 真空系统 | 第44-45页 |
| 3.3 靶室系统 | 第45-46页 |
| 3.4 溅射与退火系统 | 第46-47页 |
| 3.5 谱仪系统 | 第47-55页 |
| 3.5.1 微通道板探测器 | 第47-49页 |
| 3.5.2 飞行时间谱仪 | 第49-52页 |
| 3.5.3 一维位置灵敏探测器 | 第52-55页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第55-71页 |
| 4.1 出射粒子能谱仿真 | 第55-56页 |
| 4.2 实验结果 | 第56-59页 |
| 4.3 分析讨论 | 第59-71页 |
| 4.3.1 水吸附对Si(111)表面电子结构的影响 | 第59-62页 |
| 4.3.2 电荷转移模型介绍 | 第62-64页 |
| 4.3.3 正离子结果的解释 | 第64-65页 |
| 4.3.4 负离子结果的解释 | 第65-67页 |
| 4.3.5 与其他碰撞体系结果对比 | 第67-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 在校期间的科研成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |