| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 SiC半导体材料 | 第10-11页 |
| 1.1.1 半导体材料的研究背景 | 第10页 |
| 1.1.2 SiC半导体材料的应用前景 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC的晶体结构和性质 | 第11-15页 |
| 1.2.1 SiC的晶体结构 | 第11-14页 |
| 1.2.2 SiC的性质 | 第14-15页 |
| 1.3 3C-SiC薄膜的外延生长及研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 3C-SiC外延薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.2 3C-SiC外延薄膜的衬底选择 | 第17-18页 |
| 1.3.3 Si(110)基3C-SiC外延薄膜的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本文研究的目的和主要内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 论文的目的和意义 | 第20-21页 |
| 1.4.2 论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验与测试 | 第22-32页 |
| 2.1 实验原料 | 第22-24页 |
| 2.1.1 衬底材料 | 第22-23页 |
| 2.1.2 前驱体和稀释气体 | 第23-24页 |
| 2.2 实验方法与设备 | 第24-27页 |
| 2.2.1 激光化学气相沉积方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 激光化学气相沉积设备介绍 | 第25-27页 |
| 2.3 3C-SiC薄膜制备的技术路线 | 第27-29页 |
| 2.4 3C-SiC薄膜的测试与表征 | 第29-32页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第29页 |
| 2.4.2 极图分析 | 第29-30页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜形貌分析 | 第30页 |
| 2.4.4 拉曼光谱分析 | 第30-31页 |
| 2.4.5 透射电子显微镜分析 | 第31-32页 |
| 第三章 Ar气氛中3C-SiC薄膜的制备与外延生长 | 第32-50页 |
| 3.1 沉积温度对薄膜生长的影响 | 第32-38页 |
| 3.2 沉积时间对薄膜生长的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 Ar流量对薄膜生长的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 界面空洞的产生及消除工艺 | 第43-46页 |
| 3.5 Ar气氛中3C-SiC薄膜的外延生长 | 第46-50页 |
| 第四章 H_2气氛中3C-SiC薄膜的制备与外延生长 | 第50-76页 |
| 4.1 沉积温度对薄膜生长的影响 | 第50-62页 |
| 4.2 沉积压力对薄膜生长的影响 | 第62-73页 |
| 4.3 温度和压强共同作用下3C-SiC外延取向规律 | 第73-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文、申请专利情况 | 第84页 |
