| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 基于半导体调制技术的高功率纳秒光纤激光器的研究进展 | 第11-14页 |
| 1.3 基于光纤可饱和吸收体的纳秒光纤激光器的研究进展 | 第14-18页 |
| 1.4 论文结构和主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 纳秒脉冲掺镱光纤激光器的工作机理 | 第20-32页 |
| 2.1 镱离子的能级结构以及发光性质 | 第20-24页 |
| 2.1.1 Yb3+的能级结构 | 第20-22页 |
| 2.1.2 Yb3+的发光性质 | 第22-24页 |
| 2.2 纳秒脉冲光纤激光器的实现方式 | 第24-30页 |
| 2.2.1 调Q技术 | 第24-28页 |
| 2.2.2 增益开关技术 | 第28-30页 |
| 2.2.3 直接半导体调制技术 | 第30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 基于半导体调制技术的纳秒脉冲高功率光纤激光器 | 第32-50页 |
| 3.1 直接调制半导体激光器的理论研究 | 第32-34页 |
| 3.1.1 半导体激光器的工作原理 | 第32-33页 |
| 3.1.2 半导体激光器的调制特性 | 第33-34页 |
| 3.2 掺镱光纤放大器的原理及其非线性效应 | 第34-41页 |
| 3.2.1 光纤放大器的基本理论 | 第34-36页 |
| 3.2.2 脉冲光纤放大器的基本理论 | 第36-38页 |
| 3.2.3 光纤放大器中非线性效应的理论研究 | 第38-41页 |
| 3.3 基于半导体调制技术的纳秒脉冲高功率光纤激光器的实验研究 | 第41-48页 |
| 3.3.1 实验装置 | 第41-42页 |
| 3.3.2 实验结果及分析 | 第42-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 全光纤结构的复合双腔纳秒脉冲光纤激光器 | 第50-60页 |
| 4.1 全光纤复合双腔激光器的理论模型 | 第50-52页 |
| 4.2 全光纤结构的复合双腔纳秒脉冲光纤激光器的实验研究 | 第52-58页 |
| 4.2.1 实验装置 | 第52-53页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第53-57页 |
| 4.2.3 数值模拟 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 总结与展望 | 第60-62页 |
| 本文工作总结 | 第60-61页 |
| 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的主要学术成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
