| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 叶尖泄漏抑制技术研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 叶尖泄漏主动控制技术研究现状 | 第11页 |
| 1.2.2 叶尖泄漏被动抑制技术研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第14页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 研究对象及数值模型建立 | 第15-20页 |
| 2.1 数值计算模型 | 第15-17页 |
| 2.1.1 研究对象 | 第15-16页 |
| 2.1.2 数值计算方法 | 第16-17页 |
| 2.1.3 边界条件与物性参数的设定 | 第17页 |
| 2.2 网格划分及无关性检查 | 第17-18页 |
| 2.3 数值模型验证 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 自发射流耦合单凹槽抑制叶尖泄漏的影响 | 第20-31页 |
| 3.1 孔数对自发射流抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第20-21页 |
| 3.2 孔道排列方式对自发射流抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第21-22页 |
| 3.3 射流参数对自发射流抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第22-23页 |
| 3.4 自发射流耦合单凹槽对涡轮叶尖泄漏影响的数值研究 | 第23-28页 |
| 3.4.1 自发射流耦合单凹槽对间隙泄漏流的影响 | 第24-25页 |
| 3.4.2 自发射流耦合单凹槽的流动特征 | 第25-27页 |
| 3.4.3 自发射流耦合单凹槽的损失分布 | 第27-28页 |
| 3.5 沟槽对自发射流耦合单凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第28-29页 |
| 3.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第4章 三维真实模型下自发射流耦合凹槽抑制叶尖泄漏的效果研究 | 第31-42页 |
| 4.1 三维叶片数值计算模型 | 第31-32页 |
| 4.2 自发射流耦合单凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第32-36页 |
| 4.2.1 自发射流耦合单凹槽对间隙泄漏流的影响 | 第32-33页 |
| 4.2.2 自发射流耦合单凹槽的间隙流动特征 | 第33-35页 |
| 4.2.3 自发射流耦合单凹槽的损失分布 | 第35-36页 |
| 4.3 自发射流耦合双凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第36-40页 |
| 4.3.1 自发射流耦合双凹槽对间隙泄漏流的影响 | 第36-37页 |
| 4.3.2 自发射流耦合双凹槽间隙流动特征 | 第37-39页 |
| 4.3.3 自发射流耦合双凹槽的损失分布 | 第39-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第5章 真实工况对自发射流耦合凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第42-54页 |
| 5.1 叶栅进口温度对自发射流耦合凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第42-45页 |
| 5.1.1 间隙泄漏量 | 第42-43页 |
| 5.1.2 近叶尖表面马赫数及流线分布 | 第43-44页 |
| 5.1.3 叶片载荷分布 | 第44-45页 |
| 5.2 叶栅进口冲角对自发射流耦合凹槽抑制叶尖泄漏效果的影响 | 第45-48页 |
| 5.2.1 间隙泄漏量 | 第45-46页 |
| 5.2.2 近叶尖表面马赫数及流线分布 | 第46页 |
| 5.2.3 叶片载荷分布 | 第46-48页 |
| 5.3 端壁运动对自发射流耦合凹槽抑制叶尖泄漏的影响 | 第48-52页 |
| 5.3.1 间隙泄漏量 | 第48-49页 |
| 5.3.2 近叶尖表面马赫数及流线分布 | 第49-51页 |
| 5.3.3 叶片载荷分布 | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间主要成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
